KIA6140A 10A/400V MOSFET｜TO-220/TO-220F 雙封裝 低損耗高壓管
信息來源：本站 日期：2026-05-07
| 工藝技術(shù) | Proprietary New Planar Technology（專有新型平面工藝） |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 典型值0.35Ω @ VGS=10V，最大值0.5Ω |
| 柵極電荷特性 | Low Gate Charge Minimize Switching Loss（低柵極電荷，降低開關(guān)損耗） |
| 體二極管特性 | Fast Recovery Body Diode（快恢復(fù)體二極管） |
| 鎮(zhèn)流器與照明設(shè)備 | Ballast and Lighting |
| DC-AC逆變器 | DC-AC Inverter |
| 其他工業(yè)應(yīng)用 | Other Applications |
KIA6140A（KNP6140A/KNF6140A）是一款高性能 10A/400V N溝道高壓功率MOSFET，采用新型平面工藝制造，具備低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、快恢復(fù)體二極管、高雪崩能量等核心優(yōu)勢(shì)，專為高壓照明、逆變器、工業(yè)電源、開關(guān)電源等設(shè)備設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品有效解決高壓系統(tǒng)發(fā)熱高、開關(guān)損耗大、穩(wěn)定性不足等痛點(diǎn)，工業(yè)級(jí)寬溫工作，雙封裝適配不同設(shè)計(jì)需求，可直接替代國際/國內(nèi)同規(guī)格競(jìng)品，是高壓電源設(shè)備的高性價(jià)比優(yōu)選方案。
1. 400V高耐壓，10A連續(xù)電流，滿足高壓工業(yè)設(shè)備需求
2.超低導(dǎo)通電阻，典型值0.35Ω，最大僅0.5Ω，損耗更低
3. 低柵極電荷，開關(guān)速度快，顯著提升系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率
4.內(nèi)置快恢復(fù)體二極管，抗沖擊能力強(qiáng)，dv/dt性能優(yōu)異
5. TO-220 / TO-220F 雙封裝可選，絕緣/非絕緣靈活適配
6. 高雪崩能量650mJ，可靠性遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
7. 工作溫度-55℃~150℃，工業(yè)級(jí)穩(wěn)定耐用
9.符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，綠色安全
| 品牌 | 競(jìng)品型號(hào) | 規(guī)格匹配 | 封裝 |
|---|---|---|---|
| 英飛凌 | SPA10N40 | 10A 400V N溝道 | TO-220/TO-220F |
| 意法半導(dǎo)體 | STP10NK40 | 10A 400V N溝道 | TO-220/TO-220F |
| 安森美 | NTNL10N40 | 10A 400V N溝道 | TO-220F |
| 威世 | SiHF10N40 | 10A 400V N溝道 | TO-220 |
| 東芝 | TK10A40 | 10A 400V N溝道 | TO-220F |
| 士蘭微 | SVF10N40 | 10A 400V N溝道 | TO-220/TO-220F |
| 新潔能 | NCE10TD40 | 10A 400V N溝道 | TO-220F |
| 揚(yáng)杰 | YJ10N40 | 10A 400V N溝道 | TO-220/TO-220F |
| 華微 | HM10N40 | 10A 400V N溝道 | TO-220F |
| 參數(shù) | KIA6140A | 國際品牌競(jìng)品 | 國內(nèi)品牌競(jìng)品 |
|---|---|---|---|
| 耐壓 Vdss | 400V | 400V | 400V |
| 連續(xù)電流 Id | 10A | 10A | 10A |
| 導(dǎo)通電阻 | 0.35Ω(典型) | 0.4~0.6Ω | 0.45~0.65Ω |
| 柵極電荷 | 28nC | 30~38nC | 32~40nC |
| 雪崩能量 | 650mJ | 550~620mJ | 500~580mJ |
| 封裝 | TO-220/TO-220F | TO-220/TO-220F | TO-220F |
| 優(yōu)勢(shì) | 內(nèi)阻更低、損耗更小、可靠性更高 | 價(jià)格昂貴、交期長 | 一致性一般、損耗偏高 |
| 完整型號(hào) | 封裝 | 適用場(chǎng)景 |
|---|---|---|
| KNP6140A | TO-220 | 大功率散熱優(yōu)先、工業(yè)電源、逆變器 |
| KNF6140A | TO-220F | 絕緣需求、照明設(shè)備、開關(guān)電源、通用工控 |
| 電子鎮(zhèn)流器 & LED照明驅(qū)動(dòng) |
| DC-AC逆變器、不間斷電源UPS |
| 高壓開關(guān)電源、工業(yè)控制電源 |
| 大功率適配器、充電器 |
| 其他高壓工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備 |
| 引腳號(hào) | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2, 4 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 型號(hào) | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP6140A | TO-220 | KIA |
| KNF6140A | TO-220F | KIA |
| 參數(shù) | 符號(hào) | KNP6140A/TO-220 | KNF6140A/TO-220F | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 (VGS=0V) | VDSS | 400 | 400 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | 10 (Tc=25℃) | 10 (Tc=25℃) | A |
| 見Figure3 (Tc=100℃) | 見Figure3 (Tc=100℃) | A | ||
| 脈沖漏極電流 (VGS=10V) | IDM | 見Figure6 | 見Figure6 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 650 | 650 | mJ |
| 二極管恢復(fù)峰值dv/dt | dv/dt | 5.0 | 5.0 | V/ns |
| 耗散功率 | PD | 140 | 45 | W |
| 25℃以上降額系數(shù) | - | 1.12 | 0.37 | W/℃ |
| 焊接溫度 | TL | 300 (引線1.6mm處10秒) | 300 (引線1.6mm處10秒) | ℃ |
| TPAK | 260 (封裝體10秒) | 260 (封裝體10秒) | ℃ | |
| 工作與存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | -55 ~ +150 | ℃ |
| 參數(shù) | 符號(hào) | KNP6140A/TO-220 | KNF6140A/TO-220F | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結(jié)-殼熱阻 | RθJC | 0.89 | 2.7 | ℃/W |
| 結(jié)-環(huán)境熱阻 | RθJA | 62 | 100 | ℃/W |
| 參數(shù)類別 | 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 | 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 400 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=400V/320V, VGS=0V; Tj=25℃/125℃ | - | - | 1/100 | μA | |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | +100/-100 | nA | |
| 導(dǎo)通特性 | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=5A | - | 0.35 | 0.5 | Ω |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V | |
| 正向跨導(dǎo) | gfs | VDS=20V, ID=10A | - | 12 | - | S | |
| 電容特性 | 輸入電容 | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz | - | 1254 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 21 | - | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | - | 150 | - | pF | ||
| 柵極電荷特性 | 總柵極電荷 | Qg | VDD=200V, ID=10A, VGS=0 to 10V | - | 28 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 7.0 | - | nC | ||
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 11 | - | nC | ||
| 開關(guān)特性 | 開通延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=200V, ID=10A, VGS=10V, RG=12Ω | - | 14 | - | ns |
| 上升時(shí)間 | trise | - | 25 | - | ns | ||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | - | 44 | - | ns | ||
| 下降時(shí)間 | tfall | - | 28 | - | ns | ||
| 體二極管特性 | 連續(xù)源極電流 | ISD | MOSFET內(nèi)集成PN二極管 | - | - | 10 | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | - | - | 40 | A | ||
| 二極管正向壓降 | VSD | IS=10A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V | |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | VGS=0V, IF=10A, diF/dt=100A/μs | - | 303 | - | ns | |
| 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | - | 1.8 | - | μC |
注：以上數(shù)據(jù)基于Tj=25℃條件，完整特性曲線、測(cè)試電路及波形請(qǐng)參考原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)。
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個(gè)qq）
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
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