KNM61100A TO-247 封裝|高壓電源專用 N 溝道 MOSFET 原廠直供
信息來源:本站 日期:2026-05-07
| 環(huán)保合規(guī) | RoHS Compliant(符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)) |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 典型值1.0Ω @ VGS=10V,最大值1.25Ω |
| 柵極電荷特性 | 低柵極電荷,降低開關(guān)損耗 |
| 體二極管特性 | Fast Recovery Body Diode(快恢復(fù)體二極管) |

| 適配器/電源適配器 | Adaptor |
| 充電器 | Charger |
| 開關(guān)電源待機(jī)電源 | SMPS Standby Power |
KIA61100A(KNM61100A)是一款高性能 10A / 1000V N溝道高壓功率MOSFET,采用高壓平面工藝打造,具備超低導(dǎo)通損耗、低柵極電荷、快恢復(fù)體二極管、高雪崩能量等核心優(yōu)勢,專為高壓開關(guān)電源、適配器、充電器、待機(jī)電源等場景設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品具備工業(yè)級(jí)高可靠性,工作溫度范圍寬,耐壓穩(wěn)定、損耗低,完美替代國際品牌及國內(nèi)同規(guī)格競品,在高壓電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高效率、更低發(fā)熱、更強(qiáng)穩(wěn)定性。
1. 1000V超高耐壓,滿足各類高壓電源系統(tǒng)需求
2. 10A連續(xù)工作電流,脈沖電流可達(dá)40A,帶載能力強(qiáng)
3.超低導(dǎo)通電阻,典型值1.0Ω,開關(guān)損耗更低
4.低柵極電荷,提升開關(guān)速度與系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率
5. 內(nèi)置快恢復(fù)體二極管,抗沖擊、抗干擾能力優(yōu)異
6.TO-247標(biāo)準(zhǔn)大功率封裝,散熱性能出色
7. 工作溫度 -55℃ ~ +150℃,滿足工業(yè)級(jí)嚴(yán)苛環(huán)境
8.符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),綠色安全可靠
| 品牌 | 競品型號(hào) | 規(guī)格匹配 | 封裝 |
|---|---|---|---|
| 英飛凌 | SPA11N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 意法半導(dǎo)體 | STP10NK100Z | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 安森美 | NTNL10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 威世 | SiHF10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 東芝 | TK10A100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 士蘭微 | SVF10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 新潔能 | NCE10TD100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 華微 | HM10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 揚(yáng)杰 | YJ10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 參數(shù) | KIA61100A | 國際品牌競品 | 國內(nèi)品牌競品 |
|---|---|---|---|
| 耐壓(Vdss) | 1000V | 1000V | 1000V |
| 連續(xù)電流(Id) | 10A | 10A | 10A |
| 導(dǎo)通電阻 | 1.0Ω (典型) | 1.1~1.4Ω | 1.2~1.5Ω |
| 總柵極電荷 | 71nC | 75~85nC | 80~95nC |
| 雪崩能量 | 900mJ | 700~850mJ | 600~800mJ |
| 封裝 | TO-247 | TO-247 | TO-247 |
| 優(yōu)勢 | 更低損耗、更高可靠性、更快恢復(fù) | 價(jià)格高、交期長 | 一致性一般、損耗偏高 |
| 完整型號(hào) | 封裝 | 適用場景 |
|---|---|---|
| KNM61100A | TO-247 | 高壓開關(guān)電源、適配器、充電器、工業(yè)電源 |
| 高壓AC-DC開關(guān)電源 |
| 電源適配器 & 充電器 |
| 開關(guān)電源待機(jī)電源 |
| 工業(yè)控制高壓驅(qū)動(dòng) |
| LED驅(qū)動(dòng)電源、通信電源 |
| 引腳號(hào) | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate(柵極) |
| 2 | Drain(漏極) |
| 3 | Source(源極) |
| 型號(hào) | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNM61100A | TO-247 | KIA |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 規(guī)格 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 1000 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | 10 | A |
| 脈沖漏極電流 (VGS=10V) | IDM | 40 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 900 | mJ |
| 耗散功率 | PD | 298 | W |
| 25℃以上降額系數(shù) | - | 2.38 | W/℃ |
| 焊接溫度 (距離外殼1.6mm處10秒) | TL | 300 | ℃ |
| 工作與存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 規(guī)格 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)-殼熱阻 | RθJC | 0.42 | ℃/W |
| 結(jié)-環(huán)境熱阻 | RθJA | 55 | ℃/W |
| 參數(shù)類別 | 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 | 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 1000 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=1000V/800V, VGS=0V; Tj=25℃/125℃ | - | - | 1/100 | μA | |
| 柵源正向漏電流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 導(dǎo)通特性 | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=5A | - | 1.0 | 1.25 | Ω |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V | |
| 正向跨導(dǎo) | gfs | VDS=15V, ID=5A | - | 7.0 | - | S | |
| 電容特性 | 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2800 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 46 | - | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | - | 248 | - | pF | ||
| 柵極電荷特性 | 總柵極電荷 | Qg | VDD=500V, ID=10A, VGS=0~10V | - | 71 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 15 | - | nC | ||
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 30 | - | nC | ||
| 開關(guān)特性 | 開通延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=500V, VGS=10V, RG=9.1Ω, ID=10A | - | 46 | - | ns |
| 上升時(shí)間 | tr | - | 49 | - | ns | ||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | - | 58 | - | ns | ||
| 下降時(shí)間 | tf | - | 54 | - | ns | ||
| 體二極管特性 | 連續(xù)源極電流 | ISD | MOSFET內(nèi)集成PN二極管 | - | - | 10 | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | - | - | 40 | A | ||
| 二極管正向壓降 | VSD | IS=10A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V | |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | VGS=0V, IF=10A, diF/dt=100A/μs | - | 850 | - | ns | |
| 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | - | 4.4 | - | μC |
注:以上數(shù)據(jù)基于Tj=25℃條件,完整特性曲線、測試電路及波形請(qǐng)參考原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)。
聯(lián)系方式:鄒先生
座機(jī):0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950(微信同號(hào))
QQ:2880195519(技術(shù)群,也可以加這個(gè)qq)
聯(lián)系地址:深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明:網(wǎng)站部分圖文來源其它出處,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。