KIA4590A 900V6A MOS管|適配器充電器專用現(xiàn)貨

信息來源：本站　日期：2026-04-29　

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KIA4590A 900V6A MOS管|適配器充電器專用現(xiàn)貨

一、KIA4590A 完整替代競品清單（900V/6A/TO-220/TO-220F）

1. 國際品牌直接替代（Pin to Pin 兼容）

英飛凌：FQP6N90C、FQA6N90C

意法 ST：STP6NK90Z、STP6NK90ZFP、STB6NK90ZT4

ON 安森美：NDF6N90、NTGF6N90

Vishay 威世：SUP6N90、SIHP6N90

東芝：TK6A90E、2SK4005

2. 國產(chǎn)品牌同參數(shù)替代

新潔能：NCE690F、NCE6N90

華潤微：CR6N90、CRS6N90

士蘭微：SVT6N90、SL6N90

微碧：VBM6N90、VBL6N90

東微 / 瑞森 / 飛虹：OSG6N90、RS6N90、FHP6N90

KIA4590A 900V/6A 高壓 MOS 管｜適配器 / 充電器 / 待機(jī)電源專用零改板替代

還在為高壓電源炸管、發(fā)熱大、效率不達(dá)標(biāo)、供貨不穩(wěn)發(fā)愁？KIA4590A 專為適配器、充電器、

開關(guān)電源待機(jī)電源打造，900V 高耐壓 + 6A 大電流 + 1.6Ω 低內(nèi)阻 + 快速恢復(fù)體二極管，完美解決小功率高壓電源的四大核心痛點(diǎn)：

1. 適配器 / 充電器場景（最核心）

痛點(diǎn)：高壓尖峰擊穿、發(fā)熱嚴(yán)重、溫升超標(biāo)、體積受限

? 900V 足額耐壓：無懼 AC-DC 母線高壓尖峰，杜絕炸管擊穿

? 1.6Ω 低導(dǎo)通電阻：導(dǎo)通損耗更低，溫升下降明顯，散熱更輕松

? 快速恢復(fù)體二極管：反向恢復(fù)干凈，EMI 更好過，無需額外緩沖電路

? TO-220F 絕緣封裝：安全不短路，小體積電源也能放心用

2. 開關(guān)電源 / 待機(jī)電源場景

痛點(diǎn)：待機(jī)損耗高、效率低、長期工作不穩(wěn)定

? 超低柵極電荷 Qg=38nC：開關(guān)損耗小，整機(jī)效率提升更明顯

? 低漏電流 I_DSS≤1μA：待機(jī)功耗更低，輕松滿足六級能效

? 150℃寬溫穩(wěn)定：7×24 小時連續(xù)工作不衰減，可靠性拉滿

? RoHS 無鉛環(huán)保：全球認(rèn)證齊全，出口產(chǎn)品無憂

3. 替代升級場景（客戶最關(guān)心）

痛點(diǎn)：進(jìn)口貴、交期長、國產(chǎn)參數(shù)虛標(biāo)、一致性差

? Pin to Pin 完美兼容：直接替換 FQP6N90/STP6NK90Z 等，零改板、零重測

? 參數(shù)實(shí)打?qū)嵅惶摌?biāo)：RDS (on)=1.6Ω 典型值，6A 連續(xù)電流足額不虛標(biāo)

? 全批次品控穩(wěn)定：一致性好，量產(chǎn)不翻車，售后成本大幅降低

? 現(xiàn)貨穩(wěn)定 + 性價比高：告別進(jìn)口斷供漲價，成本直降 30%+

三、簡短營銷口號（海報 / Banner 用）

KIA4590A｜900V 高壓 MOS 管，適配器 / 充電器穩(wěn)用之選

不炸管、低發(fā)熱、高效率｜KIA4590A 高壓電源專用 MOS

900V/6A 足額參數(shù)，直接替代進(jìn)口，零改板更省心

小功率高壓電源優(yōu)選：耐壓足、損耗低、供貨穩(wěn)

KIA4590A

KNF4590A

1. Features 產(chǎn)品特性

漏源導(dǎo)通電阻 R_DS(ON)=1.6Ω(典型值) @ V_GS=10V
RoHS Compliant 符合RoHS環(huán)保指令，無鉛環(huán)保
Low Gate Charge Minimize Switching Loss 低柵極電荷，有效降低開關(guān)損耗
Fast Recovery Body Diode 內(nèi)置快速恢復(fù)體二極管

2. Applications 應(yīng)用場景

Adaptor 適配器
Charger 充電器
SMPS Standby Power 開關(guān)電源待機(jī)電源

3. Symbol 符號與引腳配置

本產(chǎn)品提供兩種封裝形式：TO-220、TO-220F，引腳功能統(tǒng)一定義如下：

Pin 引腳號	Function 引腳功能
1	Gate 柵極 (G)
2	Drain 漏極 (D)
3	Source 源極 (S)

器件內(nèi)部集成體二極管，標(biāo)準(zhǔn)N溝道MOSFET電路結(jié)構(gòu)，支持常規(guī)開關(guān)電源、適配器等電路應(yīng)用。

KIA4590A

4. Ordering Information 訂購信息

Part Number 產(chǎn)品型號	Package 封裝形式	Brand 品牌
KNF4590A	TO-220F	KIA
KNP4590A	TO-220	KIA

5. Absolute maximum ratings 絕對最大額定值

(T_C=25℃ unless otherwise noted 除特別說明外，殼溫均為25℃)

Parameter 參數(shù)		Symbol 符號	Rating 額定值		Units 單位
			TO-220F	TO-220
Drain-source voltage 漏源電壓		V_DSS	900		V
Gate-to-Source Voltage 柵源電壓		V_GSS	±30		V
Continuous drain current 連續(xù)漏極電流		I_D	6		A
Pulsed Drain Current at V_GS=10V 脈沖漏極電流		I_DM	24		A
Single pulse avalanche energy 單脈沖雪崩能量		E_AS	700		mJ
Power dissipation 功耗	T_C=25℃	P_D	45	120	W
Power dissipation 功耗	Derate above 25℃ 25℃以上降額	P_D	0.29	0.96	W/℃
Soldering Temperature (Distance of 1.6mm from case for 10 seconds) 焊接溫度（距殼體1.6mm，10秒）		T_L	300		℃
Operating junction and storage temperature range 工作與存儲溫度范圍		T_J,T_STG	-55 to 150		℃

Caution: Stresses greater than those listed in the "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. 注意：超過上述絕對最大額定值可能導(dǎo)致器件永久損壞。

6. Thermal characteristics 熱特性

Parameter 參數(shù)	Symbol 符號	Rating 額定值		Unit 單位
		TO-220F	TO-220
Thermal resistance junction-case 結(jié)-殼體熱阻	R_θJC	2.78	1.04	℃/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 結(jié)-環(huán)境熱阻	R_θJA	100	62	℃/W

7. Electrical characteristics 電氣特性

(T_J=25℃ unless otherwise noted 除特別說明外，結(jié)溫均為25℃)

Parameter 參數(shù)	Symbol 符號	Test Conditions 測試條件	Min 最小值	Typ 典型值	Max 最大值	Units 單位
Drain-source breakdown voltage 漏源擊穿電壓	BV_DSS	V_GS=0V,I_D=250μA	900	-	-	V
Drain-source leakage current 漏源漏電流	I_DSS	V_DS=900V, V_GS=0V	-	-	1	uA
Drain-source leakage current 漏源漏電流	I_DSS	V_DS=720V, T_J=125℃	-	-	100	uA
Gate-source forward leakage 柵源正向漏電流	I_GSS	V_GS=±30V, V_DS=0V	-	-	±100	nA
Drain-source on-resistance 漏源導(dǎo)通電阻	R_DS(on)	V_GS=10V, I_D=3A	-	1.6	2.0	Ω
Gate threshold voltage 柵極閾值電壓	V_GS(TH)	V_DS=V_GS, I_D=250uA	3.0	-	5.0	V
Forward Transconductance 正向跨導(dǎo)	g_fs	V_DS=15V, I_D=3A	-	8.0	-	S
Input capacitance 輸入電容	C_iss	V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz	-	1462	-	pF
Reverse transfer capacitance 反向傳輸電容	C_rss		-	24	-
Output capacitance 輸出電容	C_oss		-	132	-
Total gate charge(10V) 總柵極電荷	Q_g	V_DD=450V, I_D=6A, V_GS=0~10V	-	38	-	nC
Gate-source charge 柵源電荷	Q_gs		-	8.1	-
Gate-drain charge 柵漏電荷	Q_gd		-	15	-
Turn-on delay time 開通延遲時間	t_d(on)	V_DD=450V, V_GS=10V, R_G=9.1Ω, I_D=6A	-	23	-	ns
Rise time 上升時間	t_r		-	46	-
Turn-off delay time 關(guān)斷延遲時間	t_d(off)		-	32	-
Fall time 下降時間	t_f		-	38	-
Continuous Source Current 連續(xù)源極電流	I_SD	Integral PN-diode in MOSFET	-	-	6	A
Pulsed Source Current 脈沖源極電流	I_SM	Integral PN-diode in MOSFET	-	-	24	A
Diode forward voltage 二極管正向電壓	V_SD	I_S=6A, V_GS=0V	-	-	1.5	V
Reverse Recovery Time 反向恢復(fù)時間	t_rr	V_GS=0V, I_S=I_S, dl_F/dt=100A/μs	-	-	390	nS
Reverse Recovery Charge 反向恢復(fù)電荷	Q_rr	V_GS=0V, I_S=I_S, dl_F/dt=100A/μs	-	1.4	-	nC

Note 備注:
1) T_J=+25℃ to +150℃
2) Pulse width≤380us; duty cycles≤2% 脈沖測試：脈沖寬度≤380us，占空比≤2%

8. Typical operating characteristics 典型工作特性

本產(chǎn)品完整特性測試包含以下項(xiàng)目，對應(yīng)特性曲線說明如下：

Figure 1. Maximum Safe Operating Area 最大安全工作區(qū)曲線
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 連續(xù)漏極電流隨殼溫變化曲線
Figure 3.1. Maximum Power Dissipation vs Case Temperature (TO-220F) TO-220F功耗隨殼溫變化曲線
Figure 3.2. Max. Power Dissipation vs Case Temperature (TO-220) TO-220功耗隨殼溫變化曲線
Figure 4. Typical Output Characteristics 典型輸出特性曲線
Figure 5. Maximum Transient Thermal Impedance 最大瞬態(tài)熱阻抗曲線
Figure 6. Peak Current Capability 峰值電流能力曲線
Figure 7. Typical Transfer Characteristics 典型轉(zhuǎn)移特性曲線
Figure 8. Typical Drain to Source ON Resistance vs Gate Voltage and Drain Current 導(dǎo)通電阻隨柵極電壓、漏極電流變化曲線
Figure 9. Typical Drain to Source ON Resistance vs Drain Current 導(dǎo)通電阻隨漏極電流變化曲線
Figure 10. Typical Drain to Source ON Resistance vs Junction Temperature 導(dǎo)通電阻隨結(jié)溫變化曲線
Figure 11. Typical Threshold Voltage vs Junction Temperature 閾值電壓隨結(jié)溫變化曲線
Figure 12. Typical Breakdown Voltage vs Junction Temperature 擊穿電壓隨結(jié)溫變化曲線
Figure 13. Capacitance vs Vds 電容隨漏源電壓變化曲線
Figure 14. Typical Gate Charge vs Gate to Source Voltage 柵極電荷隨柵源電壓變化曲線
Figure 15. Typical Body Diode Transfer Characteristics 體二極管轉(zhuǎn)移特性曲線
Figure 16. Unclamped Inductive Switching Capability 無鉗位感性開關(guān)能力曲線

9. Test Circuits and Waveforms 測試電路與波形

本產(chǎn)品完整測試電路與波形包含以下項(xiàng)目：

Fig.1.1 Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit 二極管反向恢復(fù)dv/dt測試電路
Fig.1.2 Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms 二極管反向恢復(fù)dv/dt測試波形
Fig.2.1 Switching Test Circuit 開關(guān)特性測試電路
Fig.2.2 Switching Waveforms 開關(guān)特性測試波形
Fig.3.1 Gate Charge Test Circuit 柵極電荷測試電路
Fig.3.2 Gate Charge Waveform 柵極電荷測試波形
Fig.4.1 Unclamped Inductive Switching Test Circuit 無鉗位感性開關(guān)測試電路
Fig.4.2 Unclamped Inductive Switching Waveforms 無鉗位感性開關(guān)測試波形

聯(lián)系方式：鄒先生

座機(jī)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

KIA4590A

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1. Features 產(chǎn)品特性

2. Applications 應(yīng)用場景

3. Symbol 符號與引腳配置

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5. Absolute maximum ratings 絕對最大額定值

6. Thermal characteristics 熱特性

7. Electrical characteristics 電氣特性

8. Typical operating characteristics 典型工作特性

9. Test Circuits and Waveforms 測試電路與波形

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