KIA65R420 650V11A MOSFET|KIA半導(dǎo)體官方現(xiàn)貨
信息來源：本站 日期：2026-04-28
在為 MOS 管發(fā)熱大、易炸機(jī)、供貨不穩(wěn)發(fā)愁？
? 更低發(fā)熱：RDS (on) 低至 0.38Ω，導(dǎo)通損耗直降 30%，整機(jī)溫升更低、壽命更長(zhǎng)
? 更強(qiáng)抗浪涌：100% 雪崩測(cè)試，扛得住高壓尖峰與電機(jī)沖擊，批量不良接近零
? 更高效率：超低柵極電荷 33nC，開關(guān)更快、損耗更低、EMI 更好過
? 更穩(wěn)供貨：KIA 原廠現(xiàn)貨，交期短、價(jià)格穩(wěn)，告別斷供焦慮
? 零改板替換：全封裝兼容，直接替代進(jìn)口 / 國(guó)產(chǎn) 650V/11A MOSFETKIA65R420—— 高壓功率應(yīng)用的省心之選！
【簡(jiǎn)潔口號(hào)風(fēng)｜Banner / 短標(biāo)題用】
This Power MOSFET is produced using KIA semi`s advanced super-junction technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for AC/DC power conversion in switching mode operation for higher efficiency.
本功率MOSFET采用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)制造。該先進(jìn)技術(shù)專為降低導(dǎo)通損耗、提供優(yōu)異的開關(guān)性能而優(yōu)化，可承受雪崩和換相模式下的高能脈沖沖擊，完美適配開關(guān)模式下的AC/DC功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，助力實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
本產(chǎn)品采用 TO-220F 封裝形式，引腳功能統(tǒng)一定義如下：
| Pin 引腳號(hào) | Function 引腳功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 柵極 (G) |
| 2 | Drain 漏極 (D) |
| 3 | Source 源極 (S) |
器件內(nèi)部集成體二極管，標(biāo)準(zhǔn)N溝道MOSFET電路結(jié)構(gòu)，柵極、漏極、源極對(duì)應(yīng)上述引腳定義。
(TC= 25 ℃ , unless otherwise noted 除特別說明外，殼溫均為25℃)
| Parameter 參數(shù) | Symbol 符號(hào) | Rating 額定值 | Units 單位 |
|---|---|---|---|
| Drain-source voltage 漏源電壓 | VDSS | 650 | V |
| Gate-source voltage 柵源電壓 | VGSS | ±30 | V |
|
Drain current continuous 連續(xù)漏極電流 TC=25℃ TC=100℃ |
ID | 11* | A |
| 6.7* | |||
| Drain current pulsed 脈沖漏極電流 (note1) | IDM | 30* | A |
|
Avalanche energy 雪崩能量(note1) Repetitive 重復(fù)脈沖 Single pulse 單脈沖(note2) |
EAR | 65 | mJ |
| EAS | 132 | ||
| Avalanche current 雪崩電流 | IAR | 2.1 | A |
| Peak diode recovery dv/dt 二極管峰值恢復(fù)dv/dt (note3) | dv/dt | 5.0 | V/ns |
|
Total power dissipation 總功耗 TC=25 ℃ derate above 25 ℃ 25℃以上降額 |
PD | 35 | W |
| 0.3 | W/℃ | ||
| Operating and storage temperature range 工作與存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ, TSTG | -55~+150 | ℃ |
| Maximum lead temperature for soldering purposes, 1/8" from case for 5 seconds 焊接引腳最高溫度（距殼體1/8英寸，5秒） | TL | 300 | ℃ |
* Drain current limited by maximum junction temperature 漏極電流受最高結(jié)溫限制
| Parameter 參數(shù) | Symbol 符號(hào) | Rating 額定值 | Unit 單位 |
|---|---|---|---|
| Thermal resistance, Junction-ambient 結(jié)-環(huán)境熱阻 | RthJA | 80 | ℃/W |
| Thermal resistance, case-to-sink typ. 殼體-散熱器熱阻（典型值） | RthJS | - | ℃/W |
| Thermal resistance, Junction-case 結(jié)-殼體熱阻 | RthJC | 3.6 | ℃/W |
(TC=25℃,unless otherwise noted 除特別說明外，殼溫均為25℃)
| Parameter 參數(shù) | Symbol 符號(hào) | Conditions 測(cè)試條件 | Min 最小值 | Typ 典型值 | Max 最大值 | Unit 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Off characteristics 關(guān)斷特性 | |||||||
| Drain-source breakdown voltage 漏源擊穿電壓 TJ=25℃ | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 650 | - | - | V | |
| Zero gate voltage drain current 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=650V ,VGS=0V | - | - | 1 | μA | |
| VDS=650V ,VGS=0V, TC=125℃ | - | - | 10 | ||||
| Gate-body leakage current 柵體漏電流 | Forward 正向 | IGSS | VGS=30V,VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| Reverse 反向 | VGS=-30V,VDS=0V | - | - | -100 | |||
| Breakdown voltage temperature coefficient 擊穿電壓溫度系數(shù) | △BVDSS/△TJ | ID=250μA,referenced to 25℃ | - | 0.6 | - | V/℃ | |
| On characteristics 導(dǎo)通特性 | |||||||
| Gate threshold voltage 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V | |
| Static drain-source on-resistance 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=3.2A | - | 0.38 | 0.42 | Ω | |
| Forward transconductance 正向跨導(dǎo) | gFS | VDS=40V,ID=3.2A (note4) | - | 16 | - | S | |
| Dynamic characteristics 動(dòng)態(tài)特性 | |||||||
| Input capacitance 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V, f=1MHz | - | 680 | - | pF | |
| Output capacitance 輸出電容 | Coss | - | 140 | - | |||
| Reverse transfer capacitance 反向傳輸電容 | Crss | - | 5 | - | |||
| Switching characteristics 開關(guān)特性 | |||||||
| Turn-on delay time 開通延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=400V,ID=5.3A, RG=20Ω (note4,5) | - | 26 | - | ns | |
| Rise time 上升時(shí)間 | tr | - | 60 | - | |||
| Turn-off delay time 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | - | 75 | - | |||
| Fall time 下降時(shí)間 | tf | - | 44 | - | |||
| Total gate charge 總柵極電荷 | Qg | VDS=480V,ID=11A , VGS=10V (note4,5) | - | 33 | - | nC | |
| Gate-source charge 柵源電荷 | Qgs | - | 4 | - | |||
| Gate-drain charge 柵漏電荷 | Qgd | - | 4.2 | - | |||
| Drain-source diode characteristics and maximum ratings 漏源體二極管特性與最大額定值 | |||||||
| Drain-source diode forward voltage 漏源體二極管正向電壓 | VSD | VGS=0V,ISD=11A | - | - | 1.5 | V | |
| Continuous drain-source current 連續(xù)漏源電流 | IS | - | - | - | 4.9 | A | |
| Pulsed drain-source current 脈沖漏源電流 | ISM | - | - | 30 | A | ||
| Reverse recovery time 反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | VGS=0V,ISD=4.9A dlSD/dt=100A/μs (note4) | - | 270 | - | ns | |
| Reverse recovery charge 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | - | 3.3 | - | μC | ||
Note 備注:
1. IAS=2.1A, L=60mH,VDD=150V , RG=25Ω, staring TJ=25℃
3. ISD≤10A,di/dt≤200A/μs, VDD≤BVDSS, staring TJ=25 ℃
4. Pulse test: pulse width≤300μs, duty cycle≤2% 脈沖測(cè)試：脈沖寬度≤300us，占空比≤2%
5. Essentially independent of operating temperature typical characteristics. 典型特性與工作溫度基本無關(guān)
一、同規(guī)格競(jìng)品品名（650V / 11A 級(jí)，可直接替代 KIA65R420）
1）國(guó)產(chǎn)競(jìng)品（直接 pin-to-pin 替換）
飛虹：FHF65R420A、FHP65R420
東微：OSG65R380FF、OSG65R420
瑞森：RS652380F（TO-220F，11A/650V，RDS≈0.38Ω）
微碧：VBM16R11S、VBL165R20S
龍騰：LSE65R380GT、LSG65R420GMB
其他國(guó)產(chǎn)：NCE65R420、SIF65R380、SGM65R420
2）進(jìn)口 / 國(guó)際品牌競(jìng)品（同參數(shù)）
Infineon：IPA60R600P7S、IPP65R060CFD
ST：STB30N65M5、STP13NM60ND、STF45N65M5
ON：FCPF11N65、FCPF12N65
Vishay：SIHG190N65E、SIP11N65
東芝：TK12A60W、TK14G65W
二、客戶核心場(chǎng)景痛點(diǎn)（逆變器 / 電機(jī)驅(qū)動(dòng) / 儲(chǔ)能電源 / 快充）
痛點(diǎn) 1：整機(jī)效率低、發(fā)熱大、老化快
普通 MOSFET RDS (on) 高 → 導(dǎo)通損耗大 → 溫升高 → 風(fēng)扇狂轉(zhuǎn)、外殼燙手、壽命縮短
痛點(diǎn) 2：高壓易炸機(jī)、浪涌扛不住、批量不良高
650V 母線尖峰、電機(jī)啟動(dòng)沖擊、反向恢復(fù)尖峰 → 普通管雪崩能力弱 → 炸機(jī)、燒板、售后成本高
痛點(diǎn) 3：開關(guān)慢、損耗高、EMI 難通過
Qg 大、開關(guān)拖尾 → 開關(guān)損耗大、頻率上不去 → 效率低、EMI 超標(biāo)、需復(fù)雜緩沖電路
痛點(diǎn) 4：供貨不穩(wěn)、交期長(zhǎng)、價(jià)格波動(dòng)大
進(jìn)口料缺貨、交期 12–16 周、漲價(jià)頻繁 → 產(chǎn)線停工、訂單延期、利潤(rùn)被壓縮
痛點(diǎn) 5：封裝不兼容、改板麻煩、換料成本高
不同品牌引腳定義 / 封裝差異 → 換料需改板、重測(cè)、認(rèn)證周期長(zhǎng)
三、宣傳文案（分 3 種風(fēng)格，直接復(fù)制到官網(wǎng) / 海報(bào)）
【專業(yè)技術(shù)風(fēng)｜產(chǎn)品詳情頁(yè)用】
KIA65R420｜650V/11A 超結(jié) MOSFET，低損耗、高雪崩、全封裝兼容采用 KIA 先進(jìn)超結(jié)技術(shù)，RDS (on)=0.38Ω（典型）、Qg=33nC（典型），兼顧低導(dǎo)通損耗與高速開關(guān)；100% 雪崩測(cè)試、高 dv/dt 抗擾，無懼高壓浪涌與電機(jī)沖擊；支持TO-220F/TO-263/TO-252全封裝，pin-to-pin 兼容國(guó)內(nèi)外同規(guī)格型號(hào)，零改板替換，現(xiàn)貨穩(wěn)定供應(yīng)，為逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能電源、快充提供高效可靠的功率開關(guān)方案。
還
KIA65R420｜650V 超結(jié) MOS，低損耗、高可靠、易替換
650V/11A 功率 MOS 優(yōu)選：低 RDS、高雪崩、全封裝兼容
告別發(fā)熱炸機(jī)！KIA65R420 超結(jié) MOS，高效穩(wěn)定、現(xiàn)貨無憂
本產(chǎn)品完整特性測(cè)試包含以下項(xiàng)目，對(duì)應(yīng)特性曲線說明如下：
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
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