60r090mos參數,600v mos管,KLM60R090B場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-04
KLM60R090B場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流38A，是采用多層外延工藝的超結MOS，內阻低、抗沖擊能力強，高效低耗；低導通電阻RDS（ON）80mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷Qg 52nC，減少開關損耗、提高系統效率；具有高耐用性、超快開關速度以及100%雪崩測試、改進的dv/dt性能，穩定可靠；封裝形式：TO-247，散熱出色、適用于高功率場景。
漏源電壓：600V
漏極電流：38A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：96A
雪崩能量單脈沖：199MJ
總功耗：250W
總柵極電荷：50nC
閾值電壓：2.5-4.5V
輸入電容：2280PF
反向傳輸電容：60PF
開通延遲時間：18nS
關斷延遲時間：88nS
上升時間：12ns
下降時間：13ns
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