3404場效應管,3404pmos,dfn5*6,?KPY3404A參數-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-08-28
KPY3404A場效應管漏源擊穿電壓-40V,漏極電流-85A,使用先進的高單元密度溝槽技術制造,極低導通電阻RDS(on) 5mΩ,超低柵極電荷,最大限度地減少導電損耗,能夠減少功耗并提高效率;優異的CdV/dt效應衰減,100% EAS保障、綠色設備可用,穩定可靠;高輸入阻抗、低輸出阻抗,廣泛應用于開關電源等領域,封裝形式:DFN5*6,散熱出色,小體積方便布局。
漏源電壓:-40V
漏極電流:-85A
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:-200A
單脈沖雪崩能量:72MJ
功率耗散:58W
閾值電壓:-1.7V
總柵極電荷:115nC
輸入電容:6620PF
輸出電容:540PF
反向傳輸電容:340PF
開通延遲時間:15nS
關斷延遲時間:65nS
上升時間:16ns
下降時間:30ns
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持
免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。