MOS管緩啟動電路原理詳解分享-KIA MOS管

MOS管緩啟動電路原理

MOS管緩啟動電路：盡管MOSFEI在開關電源、電機控制等一些電子系統中得到廣泛的應用，但是許多電子工程師并沒有;十分清楚的理解MOSFET開關過程，以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。

一般來說，電子工程師通常基于柵極電荷理解MOSFET的開通的過程，如圖1所示。此圖在MOSFET數據表中可以查到。

MOSFET的D和S極加電壓為VDD,當驅動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時，輸入電容Ciss充電，G和S極電壓Vgs線性上升并到達門檻電壓VGS(th)，Vgs上升到VGS(th)之前漏極電流Id≈0A，沒有漏極電流流過，Vds 的電壓保持VDD不變。

當Vgs到達VGS(th)時，漏極開始流過電流Id，然后Vgs繼續上升，Id 也逐漸上升，Vds 仍然保持VDD。當Vgs到達米勒平臺電壓VGS(p1)時，Id也上升到負載電流最大值ID,Vds的電壓開始從VDD下降。

米勒平臺期間，Id電流維持ID，Vds電壓不斷降低。米勒平臺結束時刻，Id電流仍然維持ID, Vds 電壓降低到一個較低的值。米勒平臺結束后，Id電流仍然維持ID, Vds 電壓繼續降低，但此時降低的斜率很小，因此降低的幅度也很小，最后穩定在Vds=IdxRds(on)。

因此通常可以認為米勒平臺結束后MOSFET基本上已經導通。對于上述的過程，理解難點在于為什么在米勒平臺區，Vgs 的電壓恒定?驅動電路仍然對柵極提供驅動電流，仍然對柵極電容充電，為什么柵極的電壓不上升?

而且柵極電荷特性對于形象的理解MOSFET的開通過程并不直觀。因此，下面將基于漏極導通特性理解MOSFET開通過程。

MOS管緩啟動電路：MOSFET的漏極導通特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性如圖2所示。MOSFET與三極管一樣，當MOSFET應用于放大電路時，通常要使用此曲線研究其放大特性。只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數，而MOSFET使用柵極電壓、漏極電流和跨導。

三極管有三個工作區:截止區、放大區和飽和區，MOSFET對應是關斷區、恒流區和可變電阻區。

注意:MOSFET恒流區有時也稱飽和區或放大區。當驅動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時，Vgs的電壓逐漸升高時，MOSFET的開通軌跡A-B-C-D如圖3中的路線所示。

開通前，MOSFET起始工作點位于圖3的右下角A點，AOT460的VDD電壓為48V，Vgs的電壓逐漸升高，Id電流為0, Vgs的電壓達到VGS(th)，Id 電流從0開始逐漸增大。

A-B就是Vgs的電壓從VGS(th)增加到VGS(p1)的過程。從A到B點的過程中，可以非常直觀的發現，此過程工作于MOSFET的恒流區，也就是Vgs電壓和Id電流自動找平衡的過程，即Vgs電壓的變化伴隨著Id電流相應的變化，其變化關系就是MOSFET的跨導: Gfs=Id/Vgs， 跨導可以在MOSFET數據表中查到。

當Id電流達到負載的最大允許電流ID時，此時對應的柵級電壓Vgs(p1)ID/gFS。由于此時Id電流恒定，因此柵極Vgs電壓也恒定不變，見圖3中的B-C,此時MOSFET處于相對穩定的恒流區，工作于放大器的狀態。

開通前，Vgd的電壓為Vgs-Vds,為負壓，進入米勒平臺，Vgd的負電壓絕對值不斷下降，過0后轉為正電壓。驅動電路的電流絕大部分流過CGD,以掃除米勒電容的電荷，因此柵極的電壓基本維持不變。

Vds電壓降低到很低的值后，米勒電容的電荷基本上被掃除，即圖3中的C點，于是，柵極的電壓在驅動電流的充電下又開始升高，如圖3中的C-D,使MOSFET進一步完全導通。

C-D為可變電阻區，相應的Vgs電壓對應著一定的Vds電壓。Vgs電壓達到最大值，Vds 電壓達到最小值，由于Id電流為ID恒定，因此Vds的電壓即為ID和MOSFET的導通電阻的乘積。

基于MOSFET的漏極導通特性曲線可以直觀的理解MOSFET開通時，跨越關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。米勒平臺即為恒流區，MOSFETI作于放大狀態，Id電流為Vgs電壓和跨導乘積。

聯系方式：鄒先生

聯系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助