TO-3P封裝

MOS管封裝

MOS芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOS芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構成完整的電路。按照安裝在PCB 方式來區分,MOS管封裝主要有兩大類:插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB的安裝孔焊接在PCB 上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤上。

TO-3P封裝尺寸與外觀

TO-3P封裝

TO-3P封裝廠家

深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計，集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。

現已經擁有了獨立的研發中心，研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案，同時引進多臺國外先進設備，業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統分析、失效分析等領域。強大的研發平臺，使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。

TO-3P封裝

強大的研發平臺，使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。

TO-3P封裝

KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。

TO-3P封裝

從設計研發到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續創新，永不止步！

TO-3P型號表

Part Numbe	ID（A）	VDSS（v）	RDS（Ω）（MAX）	RDS（Ω）（TYP）	ciss
Part Numbe	ID（A）	VDSS（v）	RDS（Ω）（MAX）	RDS（Ω）（TYP）	pF
KIA9N90H	9	900	1.4	1.12	2780
KIA10N80H	10	800	1.1	0.85	2230
KIA16N50H	16	500	0.38	0.32	2200
KIA18N50H	18	500	0.32	0.25	2500
KIA20N40H	20	400	0.25	0.2	2135
KIA20N50H	20	500	0.26	0.21	2700
KIA24N50H	24	500	0.2	0.16	3500
KNH8150A	30	500	0.2	0.15	4150
KNH9120A	40	200	0.065	0.05	2800
KIA40N20A	40	200	0.1	0.08	1560
KIA2906A	130	60	0.007	0.0055	3100
KIA2808A	150	80	0.0045	0.004	6109
KIA2906A	160	60	0.0045	0.0035	4376