寄生電感是SiC MOSFET的VDS峰值和振鈴的主要成因。從關閉波形（圖1）中看，柵源...寄生電感是SiC MOSFET的VDS峰值和振鈴的主要成因。從關閉波形（圖1）中看，柵源電壓（VGS）從18V至0V。關閉時的漏極電流（ID）為50A，VDS為800V。SiC MOSFET的高開...
-4.1A-30V PMOS管 KIA3407產品介紹 KIA3407采用先進的溝槽技術，提供卓越的RD...-4.1A-30V PMOS管 KIA3407產品介紹 KIA3407采用先進的溝槽技術，提供卓越的RDS（開）、低柵極。這款產品作負載開關或在脈寬調制應用中使用。KIA3407是一款標準產...
測試電源和電池需要電流負載，該電流負載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使...測試電源和電池需要電流負載，該電流負載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個運算放大器和一個功率MOSFET就可以構建一個簡單而準確的電流負載，如圖1所示...
例如，一個反激式電源可分別從一個48V輸入產生兩個1 A的12V輸出，如圖1的簡化仿...例如，一個反激式電源可分別從一個48V輸入產生兩個1 A的12V輸出，如圖1的簡化仿真模型所示。理想的二極管模型具有零正向壓降，電阻可忽略不計。變壓器繞組電阻可忽...
運放主要直流指標有輸入失調電壓、輸入失調電壓的溫度漂移（簡稱輸入失調電壓溫...運放主要直流指標有輸入失調電壓、輸入失調電壓的溫度漂移（簡稱輸入失調電壓溫漂）、輸入偏置電流、輸入失調電流、輸入偏置電流的溫度漂移（簡稱輸入失調電流溫漂...
