Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時，region變為2，為了保證PVT下電路仍處于飽和...Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時，region變為2，為了保證PVT下電路仍處于飽和區，需要讓Vds -Vdsat大于某個經驗值。
MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設置Vg為3.3V，Vd為變量，設置變量Vd值為3....MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設置Vg為3.3V，Vd為變量，設置變量Vd值為3.3V，dc仿真并對design variable ——Vd進行掃描，掃描范圍選擇0-3.3V，掃描方式選擇...
上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。...上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。分析上圖，可知CCM模式下，電流不會趨于0。DCM模式下，電流會趨于0，并且有一定的死...
圖中V為全控型器件，選用IGBT;D為續流二極管。由圖中V的柵極電壓波形UGE可知，...圖中V為全控型器件，選用IGBT;D為續流二極管。由圖中V的柵極電壓波形UGE可知，當V處于通態時，電源Ui向負載供電，UD=Ui。當V處于斷態時，負載電流經二極管D續流，...
降壓轉換器的傳導損耗主要來自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導電流時產生的...降壓轉換器的傳導損耗主要來自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導電流時產生的壓降。為了簡化討論，在下面的傳導損耗計算中忽略電感電流的交流紋波。如果MOSFET用...
