當控制端為高電平時，三極管Q5導通，Q3和Q4的柵極被拉低到0V，Q3通過體二極管導...當控制端為高電平時，三極管Q5導通，Q3和Q4的柵極被拉低到0V，Q3通過體二極管導通，接著Q4導通，負載端得到Vin電壓。 當控制端為低電平時，三極管Q9斷開，Q3與Q4...
KIA13N50HF場效應管漏源電壓500V，漏極電流13A，低導通電阻RDS(開啟) 0.4Ω，最...KIA13N50HF場效應管漏源電壓500V，漏極電流13A，低導通電阻RDS(開啟) 0.4Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷（典型值45nC），降低開關損耗，性能高效；具有快...
DFN5x6封裝是一種表面貼裝半導體封裝形式，“DFN”代表雙側扁平無引線封裝（Du...DFN5x6封裝是一種表面貼裝半導體封裝形式，“DFN”代表雙側扁平無引線封裝（Dual Flat No-leads），而“5x6”則指其外部尺寸約為5毫米×6毫米。這種封裝是隨著半導...
碳化硅(SiC)，是由碳元素和硅元素組成的一種半導體材料。碳化硅是寬禁帶半導體...碳化硅(SiC)，是由碳元素和硅元素組成的一種半導體材料。碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用...
KIA12N60HF場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流12A，低導通電阻RDS(開啟) 0.53...KIA12N60HF場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流12A，低導通電阻RDS(開啟) 0.53Ω，最大限度地減少導電損耗，超低柵極電荷52nC，高效低耗；快速切換能力、改進的dv...
