我們知道采用PNP管子作為開關管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的...我們知道采用PNP管子作為開關管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會導致由此供電的芯片...
3401場效應管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，采用先進的溝槽技術，提供優良的RD...3401場效應管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，采用先進的溝槽技術，提供優良的RDS(on)，低柵極電荷工作電壓低至2.5V。3401場效應管-30V -4A適用于作為負載開關或PWM...
MOS管2301 -2.8A-20V產品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A ...MOS管2301 -2.8A-20V產品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
超高耐壓的器件主要應用場景為工業三相智能電表、LED照明驅動電源、充電樁，光...超高耐壓的器件主要應用場景為工業三相智能電表、LED照明驅動電源、充電樁，光伏逆變器等輔助電源。 國內專注研發優質MOS管廠家KIA半導體生產的超高壓MOSFET--KN...
MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大...MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大時，MOS管導通速度過慢，即Rds的減小要經過一段時間，高壓時Rds會消耗大量功率，導...
KIA12N65H N溝道增強型MOSFET；12N65參數650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效...KIA12N65H N溝道增強型MOSFET；12N65參數650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效應管中文資料規格書12N65引腳圖
