KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=1...KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封裝形式：TO-252，能夠匹配代換svt035r5nd和nce03h11k型號參數(shù)場效應管。
6610A采用KIA先進的平面條紋TRENCH技術生產。這種先進的技術經過特別定制，可最...6610A采用KIA先進的平面條紋TRENCH技術生產。這種先進的技術經過特別定制，可最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。K...
KIA半導體KCX3008A型號場效應管能夠完美匹配crss052n08n型號參數(shù)場效應管。KCX...KIA半導體KCX3008A型號場效應管能夠完美匹配crss052n08n型號參數(shù)場效應管。KCX3008A漏源擊穿電壓85V, 漏極電流最大值為120A ,RDS(on) =4.5mΩ(typ)@VGS=10V，采用...
KIA半導體這款KPD7910A型號場效應管能夠完美匹配NCE01P18型號參數(shù)?場效應管。...KIA半導體這款KPD7910A型號場效應管能夠完美匹配NCE01P18型號參數(shù)?場效應管。7910A?為低壓大電流功率場效應管，-28A ,-100V, RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，開...
MOS管42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流最大值為3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@V...MOS管42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流最大值為3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@VGS=10V，采用超高密度電池設計、超低導通電阻，低開關損耗：開關速度快，開關損耗小...
KNF6165C最高承受電壓可達650V，漏極電流最大值為10A，柵源電壓：±20V，脈沖漏...KNF6165C最高承受電壓可達650V，漏極電流最大值為10A，柵源電壓：±20V，脈沖漏極電流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封裝形式：TO-220F；腳位排列位...
