N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重摻雜的N＋，溝道中載流子為電子。P溝MOS晶體...N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重摻雜的N＋，溝道中載流子為電子。P溝MOS晶體管：襯底為N型，源漏為重摻雜的P＋，溝道中載流子為空穴。在正常青況下，只需一種類...
大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個限制，器件就容易...大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個限制，器件就容易被損壞。當MOSFET管工作時運用柵極輸入電阻，并在一個具有較大供電電壓的電路中關斷...
半導體存儲器可區分為揮發性與非揮發件性存儲器兩類．揮發性存儲器，如動態隨機...半導體存儲器可區分為揮發性與非揮發件性存儲器兩類．揮發性存儲器，如動態隨機存儲器和靜態隨機存儲器，若其電源供應關閉，將會喪失所儲存的信息，相比之下，非揮...
在高壓雙極型開關晶體管中，“下降時間”(關斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅...在高壓雙極型開關晶體管中，“下降時間”(關斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅動關斷電流特性曲線的形狀來決定，從基極關斷驅動申請到真正關斷沿之間的延時是存儲...
在驅動MOS晶體管Q2導通期間的開始部分，D1和S2將導通。但是當Ql已經關斷并且基...在驅動MOS晶體管Q2導通期間的開始部分，D1和S2將導通。但是當Ql已經關斷并且基—射結間的恢復電流已經變為零的時候，在繞組P2的電壓通過R1使Dl和S2反偏關斷。所有...
在開關電源二次側的輸出整流電路中，一般選用反向恢復時悶較短的整流二極管，常...在開關電源二次側的輸出整流電路中，一般選用反向恢復時悶較短的整流二極管，常用的主要有快恢復二極管、超快恢復二極管、肖特基勢壘二極管。快恢復二極管和超快恢...
