在CMOS中，阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde w...在CMOS中，阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).雙阱工藝有一些缺陷，如需高溫工藝（超越1 050℃）及長擴散時間（超越8h）來到...
為了構成集成電路電阻，可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上，然后運用圖形曝...為了構成集成電路電阻，可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上，然后運用圖形曝光技術和刻蝕定出其圖樣，也可以在生長于硅襯底上的熱氧化層上開窗，然后寫入（或是...
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