KIA35P10AD場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、電池管理、U...KIA35P10AD場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、電池管理、UPS不間斷電源中熱銷，漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ，RDS（ON）值為32mΩ，提供...
KNB3308B是一款10-16串保護(hù)板專用MOS管，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（...KNB3308B是一款10-16串保護(hù)板專用MOS管，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（ON）值僅為7.2mΩ，低導(dǎo)通電阻最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗，確保鋰電池...
KNB3208A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=1...KNB3208A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用專有新溝槽技術(shù)，超低??電阻減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗；低門電荷、快...
KNB3306B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，是一款7-10串保護(hù)板專用MOS管...KNB3306B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，是一款7-10串保護(hù)板專用MOS管，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低導(dǎo)通電阻，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗；開...
KND3204A場效應(yīng)管采用專有新型溝槽技術(shù)，漏源電壓40V，漏極電流100A，是鋰電池...KND3204A場效應(yīng)管采用專有新型溝槽技術(shù)，漏源電壓40V，漏極電流100A，是鋰電池保護(hù)板專用MOS管，RDS（ON），典型值=VGS=10V時(shí)為4mΩ（典型值），極低導(dǎo)通電阻減少...
KND3502A場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓20V，漏極電流70A，RDS(on)...KND3502A場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓20V，漏極電流70A，RDS(on)=7mΩ(typ.) @ VDS=4.5V，?提供卓越的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V，具有...
