1n65場效應管漏極電流1A,漏源電壓高達650V,RDS(開)為9.3? @VGS=10V、低柵...1n65場效應管漏極電流1A,漏源電壓高達650V,RDS(開)為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC,提供高堅固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進的dv/dt...
1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力,且在VGS=10伏時的開態電阻僅為...1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力,且在VGS=10伏時的開態電阻僅為9.3?,確保穩定可靠的性能、低柵極電荷僅為5.0nC,在控制電荷時更加高效、還具備高...
KNX5610A場效應管采用高單元密度的先進溝槽技術,漏極電流7A,漏源擊穿電壓100...KNX5610A場效應管采用高單元密度的先進溝槽技術,漏極電流7A,漏源擊穿電壓100V,RDS(ON)=98mΩ(典型值)@VGS=10V,具有優異的導通特性;超低柵極電荷,減小開...
碳化硅MOS管KSZ080N120A參數:28A,1200V;RDS(ON)僅為80mΩ,在VGS為20V,T...碳化硅MOS管KSZ080N120A參數:28A,1200V;RDS(ON)僅為80mΩ,在VGS為20V,TJ為25°C時達到典型值,具有低導通電阻和高阻斷電壓的特點;在低電容條件下能實現高...
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數特性,RDS(ON)僅為40mΩ(典型值...碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數特性,RDS(ON)僅為40mΩ(典型值)在VGS=20V,TJ=25℃條件下,在高電壓下能夠擁有較低的導通電阻,同時表現出優異的...
KPE4703A場效應管漏極電流-8A,漏源擊穿電壓-30V,具有優異的性能表現;導通電...KPE4703A場效應管漏極電流-8A,漏源擊穿電壓-30V,具有優異的性能表現;導通電阻RDS(on)僅為19mΩ,在柵極電壓為10V時;超低的柵極電荷,能夠有效降低電路中的開關...