1n65場效應管漏極電流1A，漏源電壓高達650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵...1n65場效應管漏極電流1A，漏源電壓高達650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC，提供高堅固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進的dv/dt...
1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時的開態電阻僅為...1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時的開態電阻僅為9.3?，確保穩定可靠的性能、低柵極電荷僅為5.0nC，在控制電荷時更加高效、還具備高...
KNX5610A場效應管采用高單元密度的先進溝槽技術，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100...KNX5610A場效應管采用高單元密度的先進溝槽技術，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有優異的導通特性；超低柵極電荷，減小開...
碳化硅MOS管KSZ080N120A參數：28A，1200V；RDS（ON）僅為80mΩ，在VGS為20V，T...碳化硅MOS管KSZ080N120A參數：28A，1200V；RDS（ON）僅為80mΩ，在VGS為20V，TJ為25°C時達到典型值，具有低導通電阻和高阻斷電壓的特點；在低電容條件下能實現高...
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數特性，RDS（ON）僅為40mΩ（典型值...碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數特性，RDS（ON）僅為40mΩ（典型值）在VGS=20V，TJ=25℃條件下，在高電壓下能夠擁有較低的導通電阻，同時表現出優異的...
KPE4703A場效應管漏極電流-8A，漏源擊穿電壓-30V，具有優異的性能表現；導通電...KPE4703A場效應管漏極電流-8A，漏源擊穿電壓-30V，具有優異的性能表現；導通電阻RDS(on)僅為19mΩ，在柵極電壓為10V時；超低的柵極電荷，能夠有效降低電路中的開關...
