1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能； 2． 輸入—輸出電壓。它受...1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能； 2． 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負(fù)載占空比才能限制； 3． 開關(guān)頻率FS。這個(gè)參數(shù)影響MOSFET開關(guān)霎時(shí)的耗散...
本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假定芯片耗費(fèi)的電流為2mA，30...本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假定芯片耗費(fèi)的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)惹起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電...
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者...MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的，他們都...
(1)可以快速恢復(fù)，以滿足越來越高的速度需求。以開戰(zhàn)電源為例，采用雙極型晶體...(1)可以快速恢復(fù)，以滿足越來越高的速度需求。以開戰(zhàn)電源為例，采用雙極型晶體管n寸-速度能夠到達(dá)幾十千赫茲；運(yùn)用MOSFET和ICBT時(shí)，速度能夠到達(dá)幾百千赫茲；而采...
MOSFET的中文稱號(hào)是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，也叫絕緣柵場效應(yīng)晶體管，縮...MOSFET的中文稱號(hào)是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，也叫絕緣柵場效應(yīng)晶體管，縮寫為MOSFET，簡稱MOS管。功率MOSFET是一類導(dǎo)電溝道槽結(jié)構(gòu)特殊的場效應(yīng)管，它是繼MO...
CMOS反相墨為CMOS邏輯電路的基本單元．在CMOS反相器中，p與n溝道晶體管的柵極銜...CMOS反相墨為CMOS邏輯電路的基本單元．在CMOS反相器中，p與n溝道晶體管的柵極銜接在一同，并作為此反相器的輸入端，而此二晶體管的漏極也連接在一同，并作為反相器...
