為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用...為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在...
SOT-23 MOS管 無論是P溝道還是N溝道，1腳為柵極，2腳為源極，3腳為漏極。SOT-23 MOS管 無論是P溝道還是N溝道，1腳為柵極，2腳為源極，3腳為漏極。
柵極(G):MOS管的控制引腳，G的全稱是Gate，當在柵極(G)施加電壓后，柵極(G)和硅...柵極(G):MOS管的控制引腳，G的全稱是Gate，當在柵極(G)施加電壓后，柵極(G)和硅襯底之間的SiO2絕緣層中就會產生一個柵極(G)指向硅襯底的電場。氧化物層兩邊形成一...
MOS管2300 6A20V SOT23-特性 VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A VDS=20...MOS管2300 6A20V SOT23-特性 VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A VDS=20V,RDS(on)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.0A VDS=20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0A
選擇一款正確的MOS管，可以很好地控制生產制造成本，最為重要的是，為產品匹配...選擇一款正確的MOS管，可以很好地控制生產制造成本，最為重要的是，為產品匹配了一款最恰當的元器件，這在產品未來的使用過程中，將會充分發揮其“螺絲釘”的作用...
誤啟動是因MOSFET的各柵極電容（CGD,CGS）和RG引起的現象，在串聯2個MOSFET的橋...誤啟動是因MOSFET的各柵極電容（CGD,CGS）和RG引起的現象，在串聯2個MOSFET的橋式電路中，當位于開關側的MOSFET導通（Turn-on）時，在原本為OFF狀態的續流側MOSFE...
