低功耗按照類型分類，其構(gòu)成主要有動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、浪涌功耗這三種。 1）...低功耗按照類型分類，其構(gòu)成主要有動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、浪涌功耗這三種。 1）動(dòng)態(tài)功耗 動(dòng)態(tài)功耗包括：開關(guān)功耗或者稱為翻轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗。
下圖是NMOS做電平轉(zhuǎn)換的典型電路，要點(diǎn)是信號從低往高轉(zhuǎn)低，從S極到D極。 邏輯...下圖是NMOS做電平轉(zhuǎn)換的典型電路，要點(diǎn)是信號從低往高轉(zhuǎn)低，從S極到D極。 邏輯如下： A=1.8V，NMOS截止，B=3.3V； A=0V，NMOS導(dǎo)通，B=0V；
PMOS做信號開關(guān) 下圖是一個(gè)典型的PMOS信號開關(guān)應(yīng)用，注意必須是從S極向D極傳送...PMOS做信號開關(guān) 下圖是一個(gè)典型的PMOS信號開關(guān)應(yīng)用，注意必須是從S極向D極傳送信號，并且D極沒有上拉電阻，有一個(gè)大的下拉電阻。
反激式開關(guān)電源的RCD鉗位電路由電阻R1、電容C1和二極管D1組成，如下圖，其中：...反激式開關(guān)電源的RCD鉗位電路由電阻R1、電容C1和二極管D1組成，如下圖，其中：Lk為變壓器的漏感，Lp為變壓器原邊繞組電感、Cds為Q1的寄生電容、T1為變壓器、Q1是開...
KIA4706A是高密度N溝道m(xù)osfet，具有優(yōu)良的RDSON特性和柵極充電的同步降壓變換器...KIA4706A是高密度N溝道m(xù)osfet，具有優(yōu)良的RDSON特性和柵極充電的同步降壓變換器的大多數(shù)應(yīng)用。KIA4706A滿足RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
當(dāng)使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時(shí)，由于此時(shí)開關(guān)頻率比較高，此時(shí)就要求我們能...當(dāng)使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時(shí)，由于此時(shí)開關(guān)頻率比較高，此時(shí)就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管，從理論上說，MOSFET的關(guān)斷速度只取決于柵極驅(qū)動(dòng)電路。當(dāng)然電流...
