200V大功率MOS管型號(hào)-MOS 管參數(shù)手冊(cè)及電路特征等文章
信息來源：本站 日期：2018-07-12
MOS管功率放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，安全可靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)略等長(zhǎng)處。
Part Numbe
ID（V）
VDSS（V）
內(nèi)阻（小）
內(nèi)阻（大）
CISS
PF
KND4820A
9
200
0.4
0.26
670
KIA6720N
18
200
0.18
0.12
1256
KNP9120A
40
200
0.065
0.05
2800
KIA4820N
9
200
0.4
0.26
670
KNH9120A
40
200
0.065
0.05
2800
KIA40N20A
40
200
0.1
0.08
1560
ards---漏源電阻溫度系數(shù)
aID---漏極電流溫度系數(shù)
Vn---噪聲電壓
η---漏極效率（射頻功率管）
Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻
VGu---柵襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VGD---柵漏電壓（直流）
VDS(sat)---漏源飽滿電壓
VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
Tstg---貯成溫度
Tc---管殼溫度
Ta---環(huán)境溫度
Tjm---最大容許結(jié)溫
Tj---結(jié)溫
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）
POUT---輸出功率
PIN--輸入功率
PDM---漏極最大容許耗散功率
PD---漏極耗散功率
R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
R(th)jc---結(jié)殼熱阻
RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）
Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）
rGS---柵源電阻
rGD---柵漏電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS---漏源電阻
Ls---源極電感
LD---漏極電感
L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）
Ku---傳輸系數(shù)
K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
gds---漏源電導(dǎo)
ggd---柵漏電導(dǎo)
GPD---共漏極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
Gp---功率增益
gfs---正向跨導(dǎo)
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）
Iu---襯底電流
IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽滿電流
IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽滿電流
IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
IF---二極管正向電流
IGP---柵極峰值電流
IGM---柵極脈沖電流
IGSO---漏極開路時(shí)，截止柵電流
IGDO---源極開路時(shí)，截止柵電流
IGR---反向柵電流
IGF---正向柵電流
IG---柵極電流（直流）
IDS(sat)---溝道飽滿電流（漏源飽滿電流）
IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流
IDSM---最大漏源電流
IDS---漏源電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）
ID(on)---通態(tài)漏極電流
dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）
di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）
Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量
Iar:雪崩電流
Ton:正導(dǎo)游通時(shí)刻.(根本能夠忽略不計(jì)).
Qrr :反向恢復(fù)充電電量.
Trr :反向恢復(fù)時(shí)刻.
VSD :正導(dǎo)游通壓降.
ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).
IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).
EAR:重復(fù)雪崩擊穿能量.
IAR :雪崩電流.
EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個(gè)極限參數(shù),闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.
MOS管主驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與MOS管的柵極電銜接，輸入端接單片機(jī)脈寬調(diào)制輸入信號(hào)。 以運(yùn)放的輸出作為OCL的輸入，到達(dá)克制零點(diǎn)漂移的作用。
MOS管驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路包含MOS管主驅(qū)動(dòng)電路和欠壓維護(hù)電路。欠壓維護(hù)電路銜接在MOS管主驅(qū)動(dòng)電路的輸入端，包含對(duì)比器、電阻R1、R2和穩(wěn)壓二極管D2；電阻R2和對(duì)比器的輸入端并聯(lián)再與電阻R1串聯(lián)在MOS管主驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電源和電源地之間；對(duì)比器的輸出端串聯(lián)穩(wěn)壓二極管D2。本實(shí)用新型的欠壓維護(hù)電路將驅(qū)動(dòng)電源電壓經(jīng)電阻分壓后的電壓與設(shè)定的基準(zhǔn)電壓對(duì)比，假如低于基準(zhǔn)電壓，欠壓維護(hù)驅(qū)動(dòng)電路當(dāng)即堵截MOS管驅(qū)動(dòng)電路，有用避免MOS管進(jìn)入線性區(qū)所形成的功率器材功率低及易損壞等不良后果。
開關(guān)損耗與功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)燒可以從以下幾個(gè)方面解決：A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管，由于內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。對(duì)于前者，留意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高，固然負(fù)載電壓高，效率會(huì)高點(diǎn)。如果芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)燒。有的工程師沒有留意到這個(gè)現(xiàn)象，直接調(diào)節(jié)sense電阻或者工作頻率達(dá)到需要的電流，這樣做可能會(huì)嚴(yán)峻影響LED的使用壽命。在均勻電流不變的條件下，只能看著光衰了。不管如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。
1:用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)高端MOS管。
2:用小幅度的PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高gate電壓需要的MOS管。
3:gate電壓的峰值束縛
4:輸入和輸出的電流束縛
5:通過運(yùn)用適合的電阻，可以抵達(dá)很低的功耗。
6:PWM信號(hào)反相。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過前置一個(gè)反相器來處理。
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