常用三端穩(wěn)壓器的主要參數(shù) 三端穩(wěn)壓器作用及選型型號(hào) KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2018-04-10
電壓范圍:7805、7806、7808、7809、7812、7815、7818、7820、7824
封裝形式: TO-220 塑料封裝，TO-3 鋁殼封裝
極限參數(shù)：
7805－7818最高輸入電壓35V；7820－7824最高輸入電壓40V
工作溫度范圍0－70℃；最高結(jié)溫150℃
TO-3 封裝結(jié)到外殼的熱阻是 4℃/W，結(jié)到環(huán)境的熱阻是 35℃/W。
TO-220 封裝結(jié)到外殼的熱阻是 4℃/W，結(jié)到環(huán)境的熱阻是 50℃/W。
1、輸出電壓和輸出電流
7805輸出5V，電壓能達(dá)到1A，實(shí)際能夠達(dá)到800mA
2、線性調(diào)整率
線性調(diào)整率是輸入電壓有一定的變化范圍，那么輸出電壓變化多少，如下圖是7805的線性調(diào)整率
3.負(fù)載調(diào)整率
負(fù)載發(fā)生變化時(shí)，輸出電壓也會(huì)有所下降，負(fù)載較輕時(shí)，輸出電壓會(huì)有所上升。
4.靜態(tài)電流
此參數(shù)越小越好，這是IC本身的消耗。
5.靜態(tài)電流變化量
負(fù)載發(fā)生變化，靜態(tài)電流變化量的多少。
6.輸出噪聲電壓
一般7805輸出為高頻噪聲，所以再對(duì)輸出端進(jìn)行濾波時(shí)，可以選擇相應(yīng)的電容。
7.紋波抑制比
低頻時(shí)可以不用太多關(guān)注，高頻時(shí)需要注意。
8.輸出電抗
頻率越高，輸出電抗會(huì)有所增大。
9.短路保護(hù)電流
超過此電流，會(huì)引起過電流保護(hù)，電壓會(huì)迅速下降
10、維持輸出最小輸入電壓
此參加非常重要，若要是輸出想要的輸出電壓，輸入電壓必須大于此值，否則不能得到想要的輸出性能。7805要求最小的輸入電壓為7.5V。
Part Number
Maximum ratings
Vout
VIN(V)
Iout(mA)
Min
Typ
Max
KIA78L05
30
100
4.8
5
5.2
KIA78L05FS
30
200
4.82
5
5.17
KIA78L06
30
100
5.76
6
6.24
KIA78L08
30
100
7.68
8
8.32
KIA78L09
30
100
8.64
9
9.36
KIA78L10
30
100
9.6
10
10.4
KIA78L12
35
100
11.52
12
12.48
KIA78L15
35
100
14.4
15
15.6
KIA78L18
35
100
17.28
18
18.72
KIA78L24
40
100
23.04
24
24.96
KIA79L05
-35
100
-4.8
-5
-5.2
KIA79L06
-35
100
-5.76
-6
-6.24
KIA79L08
-35
100
-7.68
-8
-8.32
KIA79L09
-35
100
-8.64
-9
-9.36
KIA79L10
-35
100
-9.6
-10
-10.4
KIA79L12
-35
100
-11.52
-12
-12.48
KIA79L15
-35
100
-14.4
-15
-15.6
KIA79L18
-35
100
-17.28
-18
-18.72
KIA79L24
-40
100
-23.04
-24
-24.96
KIA6206-1.5
6.5
500
1.47
1.5
1.53
KIA6206-1.8
6.5
500
1.764
1.8
1.836
KIA6206-2.8
6.5
500
2.744
2.8
2.856
KIA6206-3.0
6.5
500
2.94
3
3.06
KIA6206-3.3
6.5
500
3.234
3.3
3.366
KIA1117-ADJ
12
1000
-1.25
KIA1117-1.8
12
1000
1.764
1.8
1.836
KIA1117-2.5
12
1000
2.45
2.5
2.55
KIA1117-3.3
12
1000
3.234
3.3
3.366
KIA1117-5.0
12
1000
4.9
5
5.1
KIA133
12
500
3.27
3.3
3.33
KIA431
36
100
2.487
2.5
2.513
KIA431
36
100
2.487
2.5
2.513
深圳KIA可易亞主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應(yīng)管、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管等半導(dǎo)體器件，專注大功率MOS管制造13年。
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