KNY3303C 30V/90A DFN5×6 N 溝道 | 低內(nèi)阻電源開關(guān)管
信息來源：本站 日期：2026-06-11
解決電源 MOS 管發(fā)熱、效率低問題 | KNY3303C 低損耗方案
KNY3303C, KNY3303C MOSFET, KNY3303C 30V 90A, KNY3303C DFN5×6
| 項目 | 說明 |
|---|---|
| RDS(ON) | DFN3×3/5×6: 2.6mΩ(typ.) @ VGS=10V |
| RDS(ON) | TO-252: 3.2mΩ(typ.) @ VGS=10V |
| 核心優(yōu)勢 | 極低導通電阻、低Crss、快速開關(guān) |
| 可靠性 | 100%雪崩測試、改進dv/dt能力 |
| 1 | PWM應(yīng)用 |
| 2 | 負載開關(guān) |
| 3 | 電源管理 |
| 引腳號 | DFN3×3/5×6 | TO-252 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 1 | - | >1 | Gate（柵極） |
| 2 | 5,6,7,8 | 2 | Drain（漏極） |
| 3 | 1,2,3 | 3 | Source（源極） |
| 4 | 4 | - | Gate（柵極） |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNG3303C | DFN3×3 | KIA |
| KNY3303C | DFN5×6 | KIA |
| KND3303C | TO-252 | KIA |
| 參數(shù) | 符號 | DFN3×3/5×6 | TO-252 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 30 | 30 | V |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | 90（TC=25℃） | 90（TC=25℃） | A |
| 59（TC=100℃） | 59（TC=100℃） | A | ||
| 脈沖漏極電流 | IDM | 400 | 400 | A |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | ±20 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 289 | 289 | mJ |
| 功耗（TC=25℃） | PD | 66 | 70 | W |
| 結(jié)溫/存儲溫度 | TJ,TSTG | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 引腳焊接溫度 | TL | 300（5秒） | 300（5秒） | ℃ |
| 參數(shù) | 符號 | DFN3×3/5×6 | TO-252 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結(jié)-殼熱阻 | RθJC | 1.9 | 1.78 | ℃/W |
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=30V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.0 | 2.2 | - | V |
| 漏源導通電阻 | RDS(ON) |
VGS=10V,ID=20A DFN3×3/5×6 |
- | 2.6 | 3.9 | mΩ |
|
VGS=10V,ID=20A TO-252 |
- | 3.2 | 4.0 | mΩ | ||
|
VGS=4.5V,ID=15A DFN3×3/5×6 |
- | 3.9 | 5.6 | mΩ | ||
|
VGS=4.5V,ID=15A TO-252 |
- | 4.5 | 5.6 | mΩ | ||
| 輸入電容 | CISS | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 3280 | - | pF |
| 輸出電容 | COSS | - | 360 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | CRSS | - | 320 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) |
VGS=10V,VDS=10V RL=3Ω,ID=30A |
- | 10 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 100 | - | ns | |
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | - | 54 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 98 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg |
VDS=10V,ID=30A VGS=10V |
- | 60 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 28 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 3 | - | nC | |
| 體二極管正向電流 | IS | - | - | - | 100 | A |
| 體二極管脈沖電流 | ISM | - | - | - | 400 | A |
| 體二極管正向壓降 | VSD | ISD=20A,VGS=0V,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢復(fù)時間 | Trr | IF=20A,dlF/dt=100A/μs | - | 20 | - | ns |
| 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | - | 10 | - | nC |
注：1) 重復(fù)額定值：脈寬受最大結(jié)溫限制；2) EAS條件：TJ=25℃,VDD=15V,VG=10V,RG=25Ω,L=0.5mH；3) 脈沖測試：脈寬≤300μs,占空比0.5%
| 圖號 | 曲線內(nèi)容 |
|---|---|
| 圖1 | 導通區(qū)特性（ID vs VDS，不同VGS） |
| 圖2 | 傳輸特性（ID vs VGS，25℃） |
| 圖3 | RDS(ON) vs ID（不同VGS） |
| 圖4 | 體二極管正向特性（VF vs IF） |
| 圖5 | 電容特性（CISS/COSS/CRSS vs VDS） |
| 圖6 | 柵極電荷特性（VGS vs Qg） |
| 圖7-12 | Vds/Vgs特性、SOA、熱響應(yīng)、Rds(ON)曲線 |
| 電路類型 | 測試項目 |
|---|---|
| 柵極電荷測試電路 | Qg/Qgs/Qgd |
| 電阻性開關(guān)測試電路 | 開關(guān)時間ton/toff |
| 非鉗位感性開關(guān)測試電路 | EAS雪崩能量 |
| 體二極管反向恢復(fù)dv/dt測試電路 | Trr/Qrr/dv/dt |
| 產(chǎn)品型號 | 封裝 | 器件類型 | 核心參數(shù) |
|---|---|---|---|
| KNY3303C | DFN5×6 | N溝道MOSFET | 30V/90A，典型Rds(on) 2.6mΩ |
| 競品型號 | 品牌 | 電氣參數(shù) | 產(chǎn)品特點 |
|---|---|---|---|
| NCE3090K | NCE | 30V/90A | 市場流通廣，通用型電源MOS管 |
| AOZ3303 | AOS | 30V/90A | 開關(guān)速度快，適配高頻電路場景 |
| IRL3903S | IR | 30V/88A | 老牌經(jīng)典型號，穩(wěn)定性表現(xiàn)優(yōu)異 |
| WSP3090 | Winsok | 30V/90A | 低內(nèi)阻設(shè)計，主打大電流應(yīng)用 |
| SMB3090 | SM | 30V/90A | 工業(yè)級品質(zhì)，長期運行可靠性高 |
| 分類 | 詳情介紹 |
|---|---|
| 整體概述 | KNY3303C為DFN5×6封裝N溝道MOS管，30V/90A大功率規(guī)格。 |
| 導通性能 | 超低導通電阻2.6mΩ，導通損耗低，設(shè)備發(fā)熱量大幅減少。 |
| 開關(guān)特性 | 結(jié)電容、反向傳輸電容低，開關(guān)響應(yīng)快，高頻工況運行穩(wěn)定。 |
| 產(chǎn)品可靠性 | 全部經(jīng)過雪崩測試，dv/dt耐受能力強，適配復(fù)雜工作環(huán)境。 |
| 封裝特點 | DFN5×6貼片封裝，體積小巧，散熱佳，便于高密度PCB布線。 |
| 電氣余量 | 脈沖電流可達400A，抗沖擊能力強，電路容錯空間更大。 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 場景說明 |
|---|---|
| 電源適配器 | 大電流輸出回路使用，提升轉(zhuǎn)換效率，降低整機能耗。 |
| LED驅(qū)動電源 | 高頻開關(guān)穩(wěn)定，耐壓充足，適配各類LED恒流驅(qū)動方案。 |
| 安防設(shè)備電源 | 抗干擾能力強，可滿足設(shè)備7×24小時不間斷運行需求。 |
| 工控小電源 | 大電流承載能力強，耐受沖擊電流，工業(yè)場景適配度高。 |
| PWM控制電路 | 開關(guān)性能出色，是脈沖調(diào)制電路的優(yōu)選功率器件。 |
| 電路負載開關(guān) | 通斷響應(yīng)靈敏，損耗低，適用于各類電路通斷控制單元。 |
| 對比維度 | 詳情說明 |
|---|---|
| 導通電阻 | 相比同規(guī)格競品內(nèi)阻更低，有效降低電路發(fā)熱與電能損耗。 |
| 耐受能力 | 雪崩能量參數(shù)高，異常工況耐受強，產(chǎn)品使用壽命更長久。 |
| 開關(guān)表現(xiàn) | 電容參數(shù)優(yōu)化，開關(guān)延時短，高頻電路運行表現(xiàn)更穩(wěn)定。 |
| 兼容替換 | 標準DFN5×6引腳定義，可直接替代市面多款同封裝型號。 |
| 供貨與性價比 | 貨源穩(wěn)定，品質(zhì)統(tǒng)一，兼顧使用性能與采購成本。 |
| 用途 | 簡要介紹 |
|---|---|
| 簡介1 | KNY3303C 30V90A MOS管，低內(nèi)阻低損耗，性能穩(wěn)定可靠 |
| 簡介2 | DFN5×6大功率封裝，大電流承載強，適配多類電源設(shè)備 |
| 簡介3 | 高雪崩耐受+快速開關(guān)，同規(guī)格器件優(yōu)質(zhì)替代選型 |
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個qq）
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