KNB3403C 30V 80A MOSFET TO-263 大功率管
信息來源：本站 日期：2026-06-09
4.5mΩ 低內阻 高散熱 低發熱
KNB3403C、KNB3403C MOSFET、30V 80A MOSFET、TO-263 MOSFET、N溝道MOSFET
| 1. 產品基本信息 | |||
| 品牌 | KIA | 器件類型 | N溝道增強型MOSFET |
| 型號系列 | 3403C | 額定電壓VDS | 30V |
| 額定電流ID(Tc=25℃) | 80A | 典型Rds(on)@VGS=10V | 4.3~4.5mΩ |
| 2. 型號與對應封裝 | |||
| Part Number | Package | Brand | 備注 |
| KNG3403C | DFN3*3 | KIA | 8引腳封裝 |
| KNY3403C | DFN5*6 | KIA | 8引腳封裝 |
| KND3403C | TO-252 | KIA | 3引腳封裝 |
| KNB3403C | TO-263 | KIA | 3引腳封裝 |
| 3. 產品特點 | |||
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| 4. 典型應用 | |||
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| 5. 引腳定義 | |||
| 封裝類型 | 引腳編號 | 引腳功能 | 說明 |
| DFN3*3/DFN5*6 | 4 | Gate(柵極) | 控制極 |
| DFN3*3/DFN5*6 | 5,6,7,8 | Drain(漏極) | 電流輸入端 |
| DFN3*3/DFN5*6 | 1,2,3 | Source(源極) | 電流輸出端 |
| TO-252/TO-263 | 1 | Gate(柵極) | 控制極 |
| TO-252/TO-263 | 2 | Drain(漏極) | 電流輸入端 |
| TO-252/TO-263 | 3 | Source(源極) | 電流輸出端 |
| 6. 絕對最大額定值 (Tc=25℃) | |||
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
| 漏源電壓 | VDSS | 30 | V |
| 連續漏極電流(Tc=25℃) | ID | 80 | A |
| 連續漏極電流(Tc=100℃) | ID | 45 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 320 | A |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 306 | mJ |
| 功耗(DFN封裝, Tc=25℃) | PD | 70 | W |
| 功耗(TO封裝, Tc=25℃) | PD | 83 | W |
| 工作/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 焊接最高溫度(5秒) | TL | 300 | ℃ |
| 7. 熱特性參數 | |||
| 參數名稱 | 符號 | 最大值 | 單位 |
| 結到殼熱阻(DFN封裝) | RθJC | 1.8 | ℃/W |
| 結到殼熱阻(TO封裝) | RθJC | 1.5 | ℃/W |
| 8. 電氣特性參數 (Tc=25℃) | |||
| 參數名稱 | 測試條件 | 典型/范圍值 | 單位 |
| 漏源擊穿電壓BVdss | VGS=0V, ID=250uA | Min: 30V | V |
| 漏源漏電流IDSS | VDS=30V, VGS=0V | Max: 1uA | uA |
| 柵源漏電流IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | Max: ±100nA | nA |
| 柵極閾值電壓VGS(th) | VDS=VDS, ID=250uA | 1.0~2.2V(典型1.6V) | V |
| 導通電阻Rds(on)(DFN) | VGS=10V, ID=20A | 4.3~6.0mΩ(典型4.3mΩ) | mΩ |
| 導通電阻Rds(on)(TO) | VGS=10V, ID=20A | 4.5~6.0mΩ(典型4.5mΩ) | mΩ |
| 導通電阻Rds(on)(DFN) | VGS=4.5V, ID=20A | 6.7~9.2mΩ(典型6.7mΩ) | mΩ |
| 導通電阻Rds(on)(TO) | VGS=4.5V, ID=20A | 7.5~9.2mΩ(典型7.5mΩ) | mΩ |
| 輸入電容Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 典型1972pF | pF |
| 輸出電容Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 典型214pF | pF |
| 反向傳輸電容Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 典型176pF | pF |
| 開通延遲時間td(on) | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型21ns | ns |
| 上升時間tr | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型16ns | ns |
| 關斷延遲時間td(off) | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型62ns | ns |
| 下降時間tf | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型12ns | ns |
| 總柵極電荷Qg | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 典型37.2nC | nC |
| 柵源電荷Qgs | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 典型5.7nC | nC |
| 柵漏電荷Qgd | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 典型7.6nC | nC |
| 連續二極管正向電流Is | — | 80 | A |
| 脈沖二極管正向電流Ism | — | 320 | A |
| 二極管正向電壓VSD | ISD=30A, VGS=0V, TJ=25℃ | 1.2 | V |
| 反向恢復時間trr | IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃ | 典型32ns | ns |
| 反向恢復電荷Qrr | IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃ | 典型12nC | nC |
| KNB3403C（TO-263）基礎信息 | |||
| 產品型號 | KNB3403C | 封裝規格 | TO-263 |
| 器件類型 | N溝道MOSFET | 額定電壓 | 30V |
| 連續漏極電流 | 80A | 典型導通電阻 | 4.5mΩ@10V |
| 官網宣傳文案（客戶痛點版） | |||
| 1. TO-263大散熱封裝，高功率場景溫升更低 | |||
| 2. 30V/80A大電流，滿足大功率驅動需求 | |||
| 3. 4.5mΩ低內阻，發熱少、損耗低、效率高 | |||
| 4. 開關速度快，適配高頻電源與同步整流 | |||
| 5. 100%雪崩測試，抗沖擊強，長期穩定 | |||
| 6. 標準封裝易貼裝，量產良率高 | |||
| 7. 國產替代進口，性價比高，交期穩定 | |||
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KNB3403C 平替替代型號對照表（TO-263）
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| 品牌 | 競品型號 | 參數匹配 | 封裝 |
| AOS萬代 | AO3403 | 30V 80A | TO-263 |
| 安森美ON | NTMS3403 | 30V 80A | TO-263 |
| 新潔能 | NCE30ND80 | 30V 80A | TO-263 |
| 華羿微 | HY3403A | 30V 80A | TO-263 |
| 威兆半導體 | VS3403D | 30V 80A | TO-263 |
| 長電科技 | CJAC3403 | 30V 80A | TO-263 |
| 典型應用場景 | |||
| PD/QC快充適配器、大功率同步整流電路 | |||
| BMS電池管理系統、大功率負載開關 | |||
| 電機驅動、UPS電源、工業控制設備 | |||
注：以上參數數據來源于KIA官方規格書，僅供選型參考。
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