KIA4750SD/KIA4750SP 500V9A MOS 管 低內阻國產替代
信息來源：本站 日期：2026-06-01
0.7Ω 低內阻低柵電荷 開關電源充電器專用 MOSFE
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| 項目 | 參數 |
|---|---|
| 型號 | 4750S |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 類型 | N-Channel MOSFET |
| 額定電流 | 9A |
| 額定電壓 | 500V |
| ? 符合RoHS環保標準 |
| ? RDS(ON)=0.7Ω@VGS=10V（典型值） |
| ? 低柵極電荷，降低開關損耗 |
| ? 內置快恢復體二極管 |
| ? 適配器、充電器 |
| ? SMPS待機電源 |
| ? 各類開關電源與電源模塊 |
| 引腳號 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2/4 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 封裝 | TO-252 / TO-220 |
| 參數 | 符號 | TO-252 | TO-220 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 500 | 500 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 連續漏極電流 | ID | 9.0 | 9.0 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 28 | 32 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 400 | 400 | mJ |
| 二極管恢復dv/dt | dv/dt | 5.5 | 5.5 | V/ns |
| 功耗 | PD | 120 | 120 | W |
| 功耗降額系數 | - | 0.96 | 0.96 | W/℃ |
| 工作溫度范圍 | TJ&TSTG | -55 ~ +150 | ℃ | |
| 參數 | 符號 | TO-252 | TO-220 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | θJC | 1.04 | 1.04 | ℃/W |
| 結-環境熱阻 | θJA | 75 | 62 | ℃/W |
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 500 | - | V |
| 柵源擊穿電壓 | VGSO | IGS=±1mA(開漏) | ±30 | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=500V, VGS=0V | - | 1 | μA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | ±10 | μA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | - | 4.0 | V |
| 導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=4A | 0.7 | 0.9 | Ω |
| 跨導 | gfs | VDS=15V, ID=3A | 8.5 | - | S |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz | 960 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | 110 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | 10 | - | pF | |
| 柵極電阻 | Rg | - | 1.3 | - | Ω |
| 總柵極電荷 | Qg | VDD=30V, VGS=0~10V, ID=8/9A | 24 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | 4.0 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | 10 | - | nC | |
| 開通延遲時間 | td(ON) | VDD=250V, VGS=10V, RG=12Ω, ID=8/9A | 11 | - | nS |
| 上升時間 | trise | 17 | - | nS | |
| 關斷延遲時間 | td(OFF) | 46 | - | nS | |
| 下降時間 | tfall | 22 | - | nS | |
| 體二極管正向電壓 | VSD | IS=8/9A, VGS=0V | - | 1.5 | V |
| 反向恢復時間 | trr | IF=8/9A, diF/dt=100A/μs | 175 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | IF=8/9A, diF/dt=100A/μs | 750 | - | nC |
| 型號 | 封裝 | 類型 |
|---|---|---|
| KIA4750SD | TO-252 貼片 | N溝道高壓MOSFET |
| KIA4750SP | TO-220 直插 | N溝道高壓MOSFET |
| 參數項 | 規格 |
|---|---|
| 漏源耐壓 VDSS | 500V |
| 連續漏極電流 ID | 9A |
| 導通電阻 RDS(on) | 0.7Ω@VGS=10V（典型值） |
| 柵極閾值電壓 | 2.0~4.0V |
| 工作結溫 | -55℃ ~ +150℃ |
| 柵源耐壓 VGSS | ±30V |
| 功耗 PD | 120W |
| 特色 | 低柵電荷 + 快恢復體二極管 |
| ? 500V高耐壓，開關電源更安全 |
| ? 0.7Ω低內阻，發熱小、效率高 |
| ? 低柵極電荷，開關速度快、損耗低 |
| ? 內置快恢復二極管，抗沖擊能力強 |
| ? 雙封裝可選，適配貼片與直插方案 |
| ? 寬溫工作，工業級穩定不炸管 |
| ? 國產原廠，交期穩、性價比高 |
四、全行業直接平替型號對標
| 品牌 | 競品型號 | 封裝 | 對標規格 |
|---|---|---|---|
| 英飛凌 | SPA05N50C3 | TO-252/TO-220 | 500V 4.5A 對標 |
| 安森美 | NTD4950N | TO-252 | 500V 6A 對標 |
| 萬代/AOS | AOT5N50 | TO-252 | 500V 5A 對標 |
| 新潔能 | NCE50N08 | TO-252 | 500V 8A 直接對標 |
| 士蘭微 | SVF5N50D | TO-252 | 500V 5A 對標 |
| 揚杰科技 | YJ50N06 | TO-252 | 500V 6A 對標 |
| 華羿微 | HY05N50A | TO-252 | 500V 5A 對標 |
| 東微半導 | TDM5N50 | TO-252 | 500V 5A 對標 |
| 捷捷微 | JJM5N50 | TO-252 | 500V 5A 對標 |
| 【KIA4750SD/KIA4750SP】500V高壓MOS，低內阻高可靠 |
| 專為開關電源、適配器、充電器打造 |
| 低損耗、低發熱、高效率，長期穩定不掉鏈 |
| TO-252貼片/TO-220直插，靈活適配各類PCB |
| 工業級品質，國產替代優選，性價比之王 |
| 快恢復二極管+低柵電荷，開關性能更出色 |
| 500V高耐壓，9A大電流，滿足大功率場景 |
| 開關電源、電源適配器、LED驅動電源 |
| 手機/電動車充電器、SMPS待機電源 |
| 電子鎮流器、DC-AC逆變器、UPS電源 |
| 工業控制、家電控制板、各類電源模塊 |
聯系方式：鄒先生
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