替代 Infineon 100V MOSFET，KIA KCX017N10N 參數不虛標
信息來源：本站 日期：2026-05-19
TO-263/TOLL 雙封裝，成本降 20%
| 項目 | 說明 |
|---|---|
| 產品型號 | KCX017N10N（KCB017N10N/KCT017N10N） |
| 封裝類型 | TO-263 / TOLL 兩種封裝可選 |
| 核心技術 | 采用Geener先進MOS工藝技術 |
| 關鍵優勢 | 極低導通電阻、優異FOM值、JEDEC認證 |
| 測試認證 | 100% DVDS測試、100%雪崩測試、RoHS/無鹵 |
| 典型應用 | 電機控制/電池管理/UPS不間斷電源 |
| 參數名稱 | 符號 | 參數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | 100 | V |
| 連續漏極電流(Tc=25℃) | ID | 259 | A |
| 連續漏極電流(Ta=25℃) | ID | 28 | A |
| 連續漏極電流(Tc=100℃) | ID | 164 | A |
| 脈沖漏極電流(Tc=25℃) | ID(pulse) | 1036 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1365 | mJ |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 耗散功率(Tc=25℃) | Ptot | 250 | W |
| 工作/存儲結溫 | TJ, Tstg | -55~+150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RthJC | 0.5 | ℃/W |
| 結-環境熱阻(最小焊盤) | RthJA | 40 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 條件 | 參數范圍 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | Min:100 | V |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250uA | 2.2~3.8(典型3) | V |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | Max:1 | uA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGSGS=±20V, VDDS=0V | Max:±100 | nA |
| 導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=100A(TO-263) | 典型1.6, 最大2.0 | mΩ |
| VGS=10V, ID=100A(TOLL) | 典型1.4, 最大1.7 | mΩ | ||
| 跨導 | gfs | VDS=5V, ID=100A | 典型238 | S |
| 參數名稱 | 符號 | 條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | Ciss | VGS=0V, VDS=50V, f=1MHz | 10120 | pF |
| 輸出電容 | Coss | 1360 | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | 50 | pF | |
| 柵極總電荷 | QG | VGS=10V, VDS=50V, ID=50A | 176 | nC |
| 柵源電荷 | QGS | 47 | nC | |
| 柵漏電荷 | QGD | 54 | nC | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VGS=10V, VDD=50V, RG_ext=4.7Ω | 85 | ns |
| 上升時間 | tr | 137 | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | 92 | ns | |
| 下降時間 | tf | 98 | ns | |
| 柵極電阻 | RG | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.2 | Ω |
| 參數名稱 | 符號 | 條件 | 參數范圍 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 體二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V, ISD=50A | 典型0.9, 最大1.2 | V |
| 體二極管反向恢復時間 | trr | IF=20A, dI/dt=100A/μs | 典型79 | ns |
| 體二極管反向恢復電荷 | Qrr | 典型180 | nC |
| 型號后綴 | 絲印 | 封裝 | 包裝 | 數量 |
|---|---|---|---|---|
| KCB017N10N | KCB017N10N | TO-263 | 卷帶包裝 | 1000pcs/卷 |
| KCT017N10N | KCT017N10N | TOLL | 卷帶包裝 | 2000pcs/卷 |
| 宣傳亮點 | 文案說明（≤35字/行） |
|---|---|
| 超低導通電阻 | TO?263典型1.6mΩ、TOLL典型1.4mΩ，損耗更低 |
| 超大電流能力 | Tc=25℃連續259A，脈沖1036A，功率密度高 |
| 先進工藝技術 | Geener先進MOS工藝，FOM優異，能效更優 |
| 高可靠認證 | 100% UIS/雪崩測試，RoHS無鹵，JEDEC認證 |
| 雙封裝兼容 | TO?263（KCB）/TOLL（KCT），適配不同散熱需求 |
| 典型應用場景 | 電機控制、BMS、UPS、儲能、工業電源優選 |
| 參數 | 符號 | TO?263（KCX/KCB） | TOLL（KCT） | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | 100 | 100 | V |
| 連續漏極電流（Tc=25℃） | ID | 259 | 259 | A |
| 導通電阻（VGS=10V） | RDS(on) | 1.6（typ）/2.0（max） | 1.4（typ）/1.7（max） | mΩ |
| 柵極總電荷 | QG | 176 | 176 | nC |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1365 | 1365 | mJ |
| 工作結溫 | TJ | ?55~+150 | ?55~+150 | ℃ |
| 型號 | 封裝 | VDS | ID（Tc） | RDS(on)@10V | 特點 |
|---|---|---|---|---|---|
| KIA KCX017N10N | TO?263 | 100V | 259A | 1.6mΩ（typ） | 低阻大電流，性價比高 |
| KIA KCT017N10N | TOLL | 100V | 259A | 1.4mΩ（typ） | 更低阻，散熱更優 |
| Infineon IPTC019N10NM5 | TOLL | 100V | 238A | 1.9mΩ（typ） | 國際品牌，電流略低 |
| Renesas RBA250N10CHPF | TO?263 | 100V | 250A | 2.4mΩ（max） | 車規級，電阻偏高 |
| 飛虹 FHS250N1F2A | TO?263 | 100V | 250A | 2.5mΩ（typ） | 國產替代，電阻偏高 |
| FMC01H250LL | TOLL | 100V | 250A | 2.3mΩ（typ） | TOLL國產，電阻偏高 |
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | 100 | V |
| 連續漏極電流（Ta=25℃） | ID | 28 | A |
| 連續漏極電流（Tc=100℃） | ID | 164 | A |
| 脈沖漏極電流 | ID(pulse) | 1036 | A |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 耗散功率（Tc=25℃） | Ptot | 250 | W |
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 典型/最大 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | Min 100 | V |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2.2~3.8（typ3） | V |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | Max 1 | μA |
| 型號 | 絲印 | 封裝 | 包裝 | 數量 |
|---|---|---|---|---|
| KCB017N10N | KCB017N10N | TO?263 | 卷帶 | 1000pcs/卷 |
| KCT017N10N | KCT017N10N | TOLL | 卷帶 | 2000pcs/卷 |
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
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