6N65供應商-IA6N65HD 5.5A/650V-KIA6N65 PDF文件下載-KIA官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-01-26
特點
RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產(chǎn)品型號：KIA6N65HD
工作方式：5.5A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：5.5*A
脈沖漏極電流：16.0A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：80W
熱電阻：50*（110）℃/W
漏源擊穿電壓：650V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：620 PF
輸出電容：65 PF
上升時間：45 ns
封裝形式：TO-252
 |
KIA6N65（5.5A/650V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA6N65/HD |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
KIA 6N65HDN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩(wěn)壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩(wěn)壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序 |
| 封裝形式 | TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA 原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.www-94770.com |
| PDF頁總數(shù) | 總5頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
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