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KNY2904A 40V130A N 溝道 MOSFET

信息來源：本站　日期：2026-05-11　

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KNY2904A 40V130A N 溝道 MOSFET

2.0mΩ 超低內阻 大功率電源管理優選


2904A系列（KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A）2904A系列 40V/130A N溝道功率MOSFET 產品參數表

KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A

一、產品核心信息

項目 參數詳情
產品型號 2904A系列（KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A）
產品類型 N溝道增強型功率MOSFET
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
核心規格 40V / 130A N溝道MOSFET
封裝形式 DFN5*6 / TO-252 / TO-263 / TO-220
核心特點 ? 極低導通電阻：
DFN5*6：RDS(ON)=2.0mΩ(典型值 @ VGS=10V)
TO-252/TO-263/TO-220：RDS(ON)=2.5mΩ(典型值 @ VGS=10V)
? 低反向傳輸電容（Low Crss）
? 快速開關特性（Fast switching）
? 100%雪崩測試（100% avalanche tested）
? 改進的抗dv/dt干擾能力
典型應用 ? PWM應用電路
? 負載開關（Load Switch）
? 電源管理（Power Management）

2904A系列 40V/130A N溝道功率MOSFET 產品參數表

一、產品核心信息

項目 參數詳情
產品型號 2904A系列（KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A）
產品類型 N溝道增強型功率MOSFET
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
核心規格 40V / 130A N溝道MOSFET
封裝形式 DFN5*6 / TO-252 / TO-263 / TO-220
核心特點 ? 極低導通電阻：
DFN5*6：RDS(ON)=2.0mΩ(典型值 @ VGS=10V)
TO-252/TO-263/TO-220：RDS(ON)=2.5mΩ(典型值 @ VGS=10V)
? 低反向傳輸電容（Low Crss）
? 快速開關特性（Fast switching）
? 100%雪崩測試（100% avalanche tested）
? 改進的抗dv/dt干擾能力
典型應用 ? PWM應用電路
? 負載開關（Load Switch）
? 電源管理（Power Management）

KNY2904A N溝道功率MOSFET 產品詳情

KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A

產品簡介：KNY2904A是一款DFN5×6封裝、40V/130A高性能N溝道MOSFET，具備超低導通電阻、快速開關、低功耗、高雪崩能力等優勢，專為電源管理、電機驅動、負載開關、動力電池、快充等場景設計，可完美替代國際/國產同規格競品，性價比與可靠性行業領先。

核心優勢：超低Rds(on)=2.0mΩ@VGS=10V，低柵極電荷，低損耗高效率，DFN5×6小體積高散熱，100%雪崩測試，抗干擾能力強，工作溫度-55~150℃，滿足工業級、車規級應用環境。

應用場景：同步整流電源、動力電池保護板、快充協議芯片、電機驅動模塊、負載開關、PWM控制器、便攜式電源、工業控制設備。

一、行業直接競品型號

競品類型 競品型號
國際品牌 AO4403、SI4403、AO4404、SI4404、NTD4960、CSD16402
國產替代 NCE4403、WSD40P13、AP4403、HY4403、IRLMS4403、SM4403
同規格對標 KNB2904A、KND2904A、KNP2904A、2904A全系列

二、KNY2904A VS 競品核心參數對比

參數 KNY2904A AO4403 SI4403 NCE4403
類型 N溝道 N溝道 N溝道 N溝道
VDS 40V 30V 30V 30V
ID 130A 5.5A 6.1A 5.7A
Rds(on) 2.0mΩ 42mΩ 40mΩ 42mΩ
封裝 DFN5×6 SOP-8 SOP-8 SOP-8
優勢 耐壓更高、電流更大、電阻更低、體積更小、性能全面領先 常規通用 常規通用 常規通用

三、KNY2904A 核心參數

參數項目 規格值
產品型號 KNY2904A
通道類型 N溝道增強型
漏源電壓 VDS 40V
連續漏極電流 ID 130A @25℃
導通電阻 RDS(ON) 2.0mΩ @VGS=10V
柵極閾值電壓 1.0~2.3V
封裝形式 DFN5×6
工作溫度 -55℃ ~ +150℃

四、KNY2904A 核心特點

  • 超低導通電阻，大幅降低導通損耗，提升轉換效率
  • 高電流、高耐壓、高可靠性，滿足大功率應用
  • DFN5×6小型化封裝，占用空間小，散熱性能優異
  • 低柵極電荷，開關速度快，適合高頻電路
  • 100%通過雪崩能量測試，抗沖擊能力強
  • 無鉛環保，符合RoHS標準，工業級品質
  • 可直接兼容替代AO4403/SI4403/NCE4403等主流型號

五、典型應用領域

電源管理模塊 動力電池保護板
快充/適配器 電機驅動控制
負載開關 PWM逆變電路
工業控制設備 便攜式電子設備

二、引腳定義

封裝 引腳號 功能定義
DFN5*6 4 Gate（柵極）
DFN5*6 5,6,7,8 Drain（漏極）
DFN5*6 1,2,3 Source（源極）
TO-252/TO-263/TO-220 1 Gate（柵極）
TO-252/TO-263/TO-220 2 Drain（漏極）
TO-252/TO-263/TO-220 3 Source（源極）

三、訂購信息

產品型號 封裝形式 品牌
KNY2904A DFN5*6 KIA
KND2904A TO-252 KIA
KNB2904A TO-263 KIA
KNP2904A TO-220 KIA

四、絕對最大額定值（Tc=25℃，除非另有說明）

參數名稱 符號 額定值 單位 備注
漏源電壓 VDSS 40 V -
柵源電壓 VGSS ±20 V -
連續漏極電流 ID 130 A Tc=25℃
連續漏極電流 ID 84 A Tc=100℃
脈沖漏極電流 IDM 400 A VGS=10V
單脈沖雪崩能量 EAS 250 mJ -
總功耗 PD 54 W DFN5*6, Tc=25℃
總功耗 PD 130 W TO-252, Tc=25℃
總功耗 PD 328 W TO-263/TO-220, Tc=25℃
引腳最高焊接溫度 TL 300 ℃ 1/8" from case for 5 seconds
工作/存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ 150 ℃ -

五、熱特性

參數名稱 符號 封裝 典型值 單位
結到殼熱阻 RθJC DFN5*6 2.3 ℃/W
結到殼熱阻 RθJC TO-252 0.96 ℃/W
結到殼熱阻 RθJC TO-263/TO-220 0.38 ℃/W

六、電氣特性（Tc=25℃，除非另有說明）

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 40 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=40V, VGS=0V - - 1 uA
柵源正向漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 1.0 1.5 2.3 V
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A, DFN5*6 - 2.0 2.7 mΩ
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A, 其他封裝 - 2.5 3.2 mΩ
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=15A, DFN5*6 - 2.6 3.5 mΩ
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=15A, 其他封裝 - 3.1 4.2 mΩ
柵極串聯電阻 RG f=1MHz - 1.3 - Ω
輸入電容 Ciss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 6260 - pF
輸出電容 Coss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 580 - pF
反向傳輸電容 Crss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 570 - pF
開啟延遲時間 td(on) VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 18 - ns
上升時間 tr VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 20 - ns
關斷延遲時間 td(off) VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 50 - ns
下降時間 tf VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 16 - ns
總柵極電荷 Qg VDS=15V, ID=20A, VGS=10V - 135 - nC
柵源電荷 Qgs VDS=15V, ID=20A, VGS=10V 30 - - nC
柵漏電荷 Qgd VDS=15V, ID=20A, VGS=10V - 19 - nC
連續源極電流（二極管正向） IS - - - 130 A
脈沖源極電流（二極管正向） ISM - - - 400 A
漏源二極管正向電壓 VSD ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1.2 V

二、引腳定義

封裝 引腳號 功能定義
DFN5*6 4 Gate（柵極）
DFN5*6 5,6,7,8 Drain（漏極）
DFN5*6 1,2,3 Source（源極）
TO-252/TO-263/TO-220 1 Gate（柵極）
TO-252/TO-263/TO-220 2 Drain（漏極）
TO-252/TO-263/TO-220 3 Source（源極）

三、訂購信息

產品型號 封裝形式 品牌
KNY2904A DFN5*6 KIA
KND2904A TO-252 KIA
KNB2904A TO-263 KIA
KNP2904A TO-220 KIA

四、絕對最大額定值（Tc=25℃，除非另有說明）

參數名稱 符號 額定值 單位 備注
漏源電壓 VDSS 40 V -
柵源電壓 VGSS ±20 V -
連續漏極電流 ID 130 A Tc=25℃
連續漏極電流 ID 84 A Tc=100℃
脈沖漏極電流 IDM 400 A VGS=10V
單脈沖雪崩能量 EAS 250 mJ -
總功耗 PD 54 W DFN5*6, Tc=25℃
總功耗 PD 130 W TO-252, Tc=25℃
總功耗 PD 328 W TO-263/TO-220, Tc=25℃
引腳最高焊接溫度 TL 300 ℃ 1/8" from case for 5 seconds
工作/存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ 150 ℃ -

五、熱特性

參數名稱 符號 封裝 典型值 單位
結到殼熱阻 RθJC DFN5*6 2.3 ℃/W
結到殼熱阻 RθJC TO-252 0.96 ℃/W
結到殼熱阻 RθJC TO-263/TO-220 0.38 ℃/W

六、電氣特性（Tc=25℃，除非另有說明）

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 40 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=40V, VGS=0V - - 1 uA
柵源正向漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 1.0 1.5 2.3 V
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A, DFN5*6 - 2.0 2.7 mΩ
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A, 其他封裝 - 2.5 3.2 mΩ
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=15A, DFN5*6 - 2.6 3.5 mΩ
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=15A, 其他封裝 - 3.1 4.2 mΩ
柵極串聯電阻 RG f=1MHz - 1.3 - Ω
輸入電容 Ciss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 6260 - pF
輸出電容 Coss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 580 - pF
反向傳輸電容 Crss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 570 - pF
開啟延遲時間 td(on) VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 18 - ns
上升時間 tr VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 20 - ns
關斷延遲時間 td(off) VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 50 - ns
下降時間 tf VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 16 - ns
總柵極電荷 Qg VDS=15V, ID=20A, VGS=10V - 135 - nC
柵源電荷 Qgs VDS=15V, ID=20A, VGS=10V 30 - - nC
柵漏電荷 Qgd VDS=15V, ID=20A, VGS=10V - 19 - nC
連續源極電流（二極管正向） IS - - - 130 A
脈沖源極電流（二極管正向） ISM - - - 400 A
漏源二極管正向電壓 VSD ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1.2 V



聯系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

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