KND3080B 30V80A N 溝道 MOSFET 低阻高效率
信息來源：本站 日期：2026-05-11
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=15A | - | 4.1 | 6 | mΩ |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=10A | - | 7.0 | 10 | mΩ |
| 柵極電阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 5.8 | - | Ω |
| 正向跨導 | gfs | VDS=5V, ID=20A | - | 25 | - | S |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1510 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 180 | - | pF |
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 9 | - | ns |
| 上升時間 | tr | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 40 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 90 | - | ns |
| 下降時間 | tf | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 50 | - | ns |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=24V, VGS=10V, ID=20A | - | 34 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | VDS=24V, VGS=10V, ID=20A | - | 6 | - | nC |
| 柵漏電荷 | Qgd | VDS=24V, VGS=10V, ID=20A | - | 8 | - | nC |
| 連續二極管正向電流 | Is | - | - | - | 80 | A |
| 脈沖二極管正向電流 | IsM | - | - | - | 320 | A |
| 二極管正向電壓 | VSD | VGS=0V, Is=20A | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, Is=15A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 18 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | VGS=0V, Is=15A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 10 | - | nC |
| 項目 | 參數詳情 |
|---|---|
| 產品型號 | KND3080B（KIA3080B） |
| 產品類型 | N-Channel Trench MOSFET（硅溝槽工藝） |
| 封裝形式 | TO-252 |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 核心特點 |
? 低導通電阻：RDS(ON)=4.1mΩ(典型值 @ VGS=10V) ? 低柵極電荷（Low gate charge） ? 低輸入電容（Low Ciss） ? 快速開關特性（Fast switching） |
| 典型應用 |
? PWM應用電路 ? 負載開關（Load switch） ? 電源管理（Power Management） |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 產品型號 | 封裝形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND3080B | TO-252 | KIA |
KND3080B 是一款采用先進溝槽工藝制造的 N 溝道增強型功率 MOSFET，具備超低導通電阻、快速開關、低柵極電荷等優異特性，專為高性能電源管理、大電流開關應用設計。
產品耐壓 30V，連續漏極電流高達 80A，典型導通電阻僅 4.1mΩ，可大幅降低系統損耗、提升轉換效率，廣泛適用于 PWM 控制器、負載開關、電池保護、DC-DC 轉換器、電機驅動等高可靠性應用場景。
KND3080B 采用工業標準 TO-252 封裝，引腳定義通用，可直接替換同規格國際/國內品牌競品，實現成本優化與性能升級雙重價值，是電源與工控領域的理想選擇。
| 品牌 | 競品型號 | 規格 | 封裝 | 替換關系 |
|---|---|---|---|---|
| KIA | KIA3080B | 30V 80A N | TO-252 | 完全兼容 |
| Infineon | IRL3803 | 30V 74A N | TO-252 | 直接替換 |
| Infineon | IRLHS8030 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替換 |
| VISHAY | SI7140DP | 30V 80A N | TO-252 | 直接替換 |
| ON | NTD4960N | 30V 75A N | TO-252 | 直接替換 |
| TI | CSD16323Q5A | 30V 76A N | TO-252 | 直接替換 |
| FAIRCHILD | FDD8447 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替換 |
| 華瑞 | CRSM3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替換 |
| 新潔能 | NCE3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替換 |
| 韋爾 | WSD3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替換 |
| 富鼎 | APM3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替換 |
| 萬代 | WTD3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替換 |
| 型號 |
VDS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) mΩ@10V |
封裝 | 優勢 |
|---|---|---|---|---|---|
| KND3080B | 30 | 80 | 4.1(典型) | TO-252 | 低阻、低損耗、性價比高 |
| IRL3803 | 30 | 74 | 5.5 | TO-252 | 電阻更高、電流更小 |
| NCE3080 | 30 | 80 | 5.0 | TO-252 | 電阻略高 |
| WSD3080 | 30 | 80 | 4.8 | TO-252 | 電阻略高 |
| FDD8447 | 30 | 80 | 4.5 | TO-252 | 電阻略高 |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | 30 | V | - |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V | - |
| 連續漏極電流 | ID | 80 | A | Tc=25℃ |
| 連續漏極電流 | ID | 50 | A | Tc=100℃ |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 320 | A | - |
| 總功耗 | PD | 70 | W | Tc=25℃ |
| 總功耗 | PD | 2.8 | W | Ta=25℃ |
| 雪崩能量 | EAS | 110 | mJ | L=0.5mH, VD=24V, Tc=25℃ |
| 工作/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ | - |
| 參數名稱 | 符號 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結到環境熱阻 | RθJA | 44 | ℃/W |
| 結到殼熱阻 | RθJC | 1.95 | ℃/W |
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