鋰電池保護(hù)板mos管,042N10參數(shù)場效應(yīng)管代換,KCB3010A資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-20
KCB3010A是采用先進(jìn)SGT技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導(dǎo)通損耗、提高開關(guān)性能和增強(qiáng)雪崩能量，漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A，低導(dǎo)通電阻（典型值）RDS（導(dǎo)通）=4.0mΩ；具有快速切換、低柵極電荷、低反向傳輸電容、雪崩強(qiáng)度高等出色性能。
KCB3010A適用于鋰電池保護(hù)板、電機(jī)驅(qū)動器和高速開關(guān)應(yīng)用的設(shè)備，封裝形式：TO-263體積小，散熱良好，提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性，能夠匹配HYG042N10S1B、CRSS042N10N場效應(yīng)管代換使用。
漏源電壓：100V
漏極電流：120A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：4mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
雪崩能量單脈沖：756.25MJ
總功耗：175W
總柵極電荷：89.5nC
輸入電容：6700PF
輸出電容：880PF
開通延遲時(shí)間：32nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：68.5nS
上升時(shí)間：55ns
下降時(shí)間：31ns
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