3n80c場效應管參數,3n80c場效應管代換,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-18
ID（最大漏源電流）：3.0A
V(BR)DSS（漏源擊穿電壓）：800V
RDS(ON)（漏源導通內阻）為4.8Ω
PD（最大耗散功率）：39W
VGS(th)（開啟電壓閾值）：3~5V
KIA3N80H場效應管性能優越，漏極電流3A，漏源擊穿電壓高達800V，表現出強大的功率承受能力；在開啟狀態下，靜態電阻RDS為4.8Ω，在柵極電壓為10V時具有穩定的電氣特性；低柵極電荷為13nC，確保了快速的響應速度；還具有高堅固性，能夠在惡劣環境下可靠工作；以及具備改進的dv/dt能力，能夠有效降低開關時的干擾。3n80適用于開關電源和LED驅動等領域，為電子設備的穩定運行提供了可靠保障。
KIA3N80H N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如開關穩壓器、開關轉換器、螺線管、電機驅動器、繼電器驅動器。
漏源電壓：800V
漏極電流：3.0A
漏源通態電阻(RDS(on))：4.8Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
雪崩能量單脈沖：320MJ
最大功耗：39W
輸入電容：543PF
輸出電容：54PF
總柵極電荷：13nC
開通延遲時間：15nS
關斷延遲時間：22.5nS
上升時間：43.5ns
下降時間：32ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
