IRF9410參數(shù),IRF9410TRPBF,保護(hù)板專用MOS管4603A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-28
漏源電壓（Vdss）：30V
連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：7A
柵源極閾值電壓：1V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻：30mΩ @ 7A,10V
耗散功率：2.5W (Ta)
輸入電容(Ciss)：550pF @25V(Vds)
上升時(shí)間：7.30 ns
鋰電池保護(hù)板專用MOS場效應(yīng)管KNE4603A漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，RDS（開）典型值=16mΩ@VGS=10V；具有超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗等特性，滿足RoHs和綠色產(chǎn)品的要求，確保鋰電池保護(hù)板的性能穩(wěn)定可靠。
KNE4603A場效應(yīng)管是高單元密度溝槽雙N溝道MOSFET，具有出色的參數(shù)，可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷，適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，在鋰電池保護(hù)板、逆變器、智能醫(yī)療領(lǐng)域熱銷；KNE4603A封裝形式：SOP-8。
KNE4603A 30V 7A場效應(yīng)管可以替代ST意法、IR、美臺、微碩、CET華瑞等品牌的IRF9410TRPBF、FZT849TA、WSE3088、CEM8958、STS7PF30型號進(jìn)行使用，高效率低損耗，KIA半導(dǎo)體國產(chǎn)原廠現(xiàn)貨直銷。
漏源電壓：30V
漏極電流：7A
柵源電壓（連續(xù)）：±20V
脈沖漏極電流：36A
功耗：2.1W
柵極閾值電壓：2V
輸入電容：480PF
輸出電容：70PF
開通延遲時(shí)間：3.1nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：18nS
上升時(shí)間：8.6 ns
下降時(shí)間：5ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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