大功率MOS管7880A 27A 800V場效應管27n80-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-08
大功率高壓MOS管KNK7880A：漏源擊穿電壓高達800V，漏極電流最大值為27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關(guān)損耗，開關(guān)速度快等優(yōu)點，適用于無刷電機驅(qū)動、電焊機、電源分流器、電箱等產(chǎn)品。封裝形式：TO-264；腳位排列位GDS。
KNK7880A為N溝道27A/800V增強型VDMOSFET，采用高級平面技術(shù)，降低了導通損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。
高級平面工藝
RDS（ON）=280mΩ（典型值）@VGS=10V
低柵極電荷最小化開關(guān)損耗
加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)
無刷直流電機驅(qū)動器
電焊機
高效開關(guān)電源
KIA半導體MOSFET場效應管采用優(yōu)質(zhì)芯片及先進的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。來電咨詢，免費送樣！
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