VMOS的串聯

串聯(SeriesConnection)是為理解決電壓規格不夠的問題，與VMOS的并聯相似，我們這里所說的電壓規格不夠用，指的是即使是采用多管電路拓撲也難以滿足需求時，如全橋、三相全橋等電路拓撲。與VMOS并聯稍有不同的是，多電平變換應該優先于多管（模塊）的串聯應用。

在買踐應用上，串聯與并聯一樣會明顯降低功率開關的外關速度，使之適用的工作頻率明顯降低，以致于降低到IGBT也可以足以順應的程度；同時高電壓規格的VMOS的飽和壓降會明顯升高，高于1000V時曾經與IGBT相差無幾，到2000V左右時，IGBT在本身功耗方面曾經有了優勢。

因而，在工程應用上，VMOS的串聯應用并不多見，需求更高的電壓規格時，1GBT更有優勢，目前的單管產品，VMOS產品適用的最高電壓根本上還彷徨在1000V左右，而IGBT產品適用的最高電壓規格，單管曾經到達了2500～3300V，模塊產品曾經到達了4500一6500V的程度。

除非是必需采用VMOS，同時又必需采用很高電源電壓時，才會用到VMOS的串聯，即使遇到這樣的問題，串聯也并不是首選的計劃，特別是用于工業化產品，首選的計劃應該是尋覓替代計劃，如采用IGBT、基于VMOS的多電平變換等等。

萬不得已采用VMOS串聯時，首要的問題是驅動的隔離，除了信號通道需求隔離外，電源也需求隔離。

其次是均壓，與VMOS并聯時的均流相似，均壓是為了讓串聯的每一個功率開關接受近似相等的電壓，假如誤差比擬大，就需求增加串聯的功率開關的數量，增大電壓耐受量的裕量。換言之，兩個1000V電壓規格的VMOS串聯，理論上能夠視為2000V電壓規格的VMOS，為了保險起見，我們能夠將其電壓規格定為isoov以至更低。這樣做的弊端是，串聯功率開關的本身功耗將明顯增加，緣由是我們為了取得2000V電壓規格的功率開關，本來兩個串聯就能夠了，如今為了增加保險系數，就需求3個串聯。

串聯需求思索的要素與并聯大同小異，額外需求思索的要素是突波吸收電路的參數需求停止挑選，由于它們還同時擔當著動態均壓的任務。所謂動態均壓，就是功率開關高速開關條件下的均壓，與此相對應，功率開關出于穩定關斷狀態時的均壓通常稱為靜態均壓，普通用電阻來完成。

由于VMOS的串聯很少有實踐應用，這里只給出一個2管串聯的表示圖（圖5.88）。至于信號隔離器件的選擇，視開關速度和隔離電壓的上下而定，光耦有利于進步開關速度，變壓器有利于進步隔離電壓等級并且高壓側的驅動局部能夠自供電，但是主要適用于低速應用。

mos管