MOS管參數中的EAS解析|一看就懂-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-09-24
EAS指的是單脈沖雪崩能量。
在雪崩的時候，flyback產生的電壓會超過額定電壓值，因為這個時候的break voltage大于額定電壓。
如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。
雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。
定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
L是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會突然轉換為測量器件的漏極電流。電感上產生的電壓超過MOSFET擊穿電壓后，將導致雪崩擊穿。
雪崩擊穿發生時，即使 MOSFET處于關斷狀態，電感上的電流同樣會流過MOSFET器件。電感上所儲存的能量與雜散電感上存儲，由MOSFET消散的能量類似。
MOSFET并聯后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某個器件率先發生雪崩擊穿，隨后所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。
EAS和EAR的定義
EAs單脈沖雪崩擊穿能量,EAs標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。
雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。
EAR重復雪崩能量，標定了器件所能承受的反復雪崩擊穿能量。
上圖(a)開關電源中的雪崩工作波形。在MOSFET截止時約有300V的沖擊電壓加在漏極和源極之間，并出現振鈴。
上圖(b)對時間軸進行了放大，由圖可以清楚的看出由于柵極電壓下降，管子截止，ID減小的同時VDS升高并在295V處VDS電壓波形出現平頂(鉗位)。
這種電壓被鉗位的現象即是雪崩狀態，所以當功率MOSFET發生雪崩時，漏源極電壓幅值會被鉗位至有效擊穿電壓的水平。
圖1所示為開關電源中典型的雪崩波形。源漏電壓(CH3) 被鉗制在1kV,并能看到經整流的電流(CH4)。
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