TBU場(chǎng)效應(yīng)管觸發(fā)器|打造絕佳的電路保護(hù)方案-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-01-15
TBU(場(chǎng)效應(yīng)管觸發(fā)器)則與傳統(tǒng)保護(hù)的方式不同，它只用1個(gè)元件就替代了次級(jí)保護(hù)器和提供協(xié)調(diào)性的考量。當(dāng)我們把TBU放入電路之后，電流會(huì)上升，這時(shí)候TBU就會(huì)打開(kāi)，有效阻絕電流與電壓，電路就會(huì)被保護(hù)。
當(dāng)電壓上升之后，因?yàn)槠浞磻?yīng)速度非常快，代表電流也上升，TBU動(dòng)作之后會(huì)阻絕電壓與電流的部分。TBU是電流啟動(dòng)電壓回復(fù)的元件。當(dāng)TBU沒(méi)有動(dòng)作的時(shí)候，如同電阻；電流超過(guò)之后，開(kāi)關(guān)直接打開(kāi)來(lái)承接高阻；
當(dāng)電壓回復(fù)之后，TBU回復(fù)原本工作狀態(tài)。此設(shè)計(jì)無(wú)疑提供了一種空間最佳化、降低成本、增強(qiáng)安全性的完美解決方法。
TBU是由金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)所構(gòu)成，將其裝置于系統(tǒng)電路中，即可透過(guò)MOSFET來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電流并觸發(fā)電路保護(hù)功能，并提供有效的屏障使敏感電子設(shè)備不會(huì)因受到大的突波電壓或電流而損毀。
一旦電流超過(guò)TBU裝置的Itrigger(觸發(fā)電流)，柏恩TBU即可在不到1微秒之內(nèi)做出反應(yīng)。當(dāng)電路運(yùn)行中，TBU的阻止線電流若小于標(biāo)準(zhǔn)值的1mA(毫安)，TBU將會(huì)阻斷突波電壓通過(guò)。
當(dāng)電流突波瞬間消失后，電壓跨過(guò)TBU且低于電壓(Vreset)水平，其TBU裝置將重置。無(wú)論是在沒(méi)有直流偏壓或者直流偏壓低于重置電壓(Vreset)的情況下，TBU總是能進(jìn)行在線重置，并(如同無(wú)動(dòng)力信號(hào)一樣)始終保持正常工作狀態(tài)。
圖1，雷電脈沖測(cè)試電路。
圖2，TBU設(shè)備的脈沖試驗(yàn)。
圖3，交流過(guò)電壓測(cè)試電路。
圖4，TBU阻撓600Vrms的線路交叉。
下面的測(cè)試結(jié)果顯示TBU在快速上升的雷擊波作用下的反應(yīng)。測(cè)試時(shí)使用1 .2 / 50 μs的脈沖發(fā)生器作為電壓源，其電壓峰值設(shè)置為850V。
測(cè)試是在沒(méi)有分流設(shè)備的條件下進(jìn)行的(即，沒(méi)有GDT、半導(dǎo)體閘流管或MOV)，測(cè)試TBU的型號(hào)為P850-U180-WH。
圖中的藍(lán)色跡線即表示輸入波形(TBU的輸入電壓)，紅色跡線則表示TBU的輸出電壓，綠色跡線表示TBU的輸出電流，TBU可以在1us內(nèi)完成被觸發(fā)，進(jìn)而保護(hù)負(fù)載裝置(其中峰值電壓約50V，典型電壓約25V，峰值電流600mA，典型電流200mA)。
TBU場(chǎng)效管觸發(fā)器是精密高速浪涌保護(hù)裝置，主要用于防止電路短路、交流電源交叉、感應(yīng)和雷擊浪涌。
下列試驗(yàn)證明了 TBU在當(dāng)交流過(guò)電壓時(shí)的性能。當(dāng)電涌發(fā)作時(shí)，TBU起作用，對(duì)上升的電流起反應(yīng)，它被觸發(fā)進(jìn)而保護(hù)負(fù)載。在剩余的過(guò)電壓周期，TBU一直維持保護(hù)狀態(tài)。
在每一次電涌臨界時(shí)，TBU在1微秒之內(nèi)復(fù)位，然后在測(cè)試的每個(gè)剩余循環(huán)過(guò)程中重新觸發(fā)以保護(hù)負(fù)載。故障一旦解除，設(shè)備就會(huì)重設(shè)定為正常的低阻抗?fàn)顟B(tài)。
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