淺析N溝道MOS管和P溝道MOS管在電路中的詳細(xì)應(yīng)用

MOS管集成電路特點(diǎn)：

該文主要是N溝道MOS管和P溝道MOS管在電路中的詳細(xì)應(yīng)用講制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。

MOS管 ,N溝道MOS管,p溝道MOS管

MOS管集成電路包括:

N溝道MOS管組成的N溝道MOS管電路、P溝道MOS管組成的P溝道MOS管電路及由N溝道MOS管和P溝道MOS管兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

P溝道MOS管門(mén)電路與N溝道MOS管電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。

MOS管 ,N溝道MOS管,p溝道MOS管

數(shù)字電路中MOS集成電路所使用的MOS管均為增強(qiáng)型管子，負(fù)載常用MOS管作為有源負(fù)載，這樣不僅節(jié)省了硅片面積，而且簡(jiǎn)化了工藝?yán)诖笠?guī)模集成。常用的符號(hào)如圖1所示。

MOS管 ,N溝道MOS管,p溝道MOS管

N溝道MOS管

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS管集成電路，而P溝道MOS管和N溝道MOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS管集成電路即為CMOS管集成電路。

由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍海旁措妷簽榱悖r(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

MOS管 ,N溝道MOS管,p溝道MOS管

N溝道MOS管集成電路是N溝道MOS電路，N溝道MOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS管與N溝道MOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負(fù)載問(wèn)題。N溝道MOS管集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。CMOS管集成電路只要選用與NMOS管集成電路相同的電源，就可與NMOS集成電路直接連接。不過(guò)，從N溝道MOS管到CMOS直接連接時(shí)，由于N溝道MOS管輸出的高電平低于CMOS管集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)（電位）上拉電阻R，R的取值一般選用2～100KΩ。

MOS管 ,N溝道MOS管,p溝道MOS管

N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)

在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。

然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。

MOS管 ,N溝道MOS管,p溝道MOS管

在襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。圖(a)、(b)分別是它的結(jié)構(gòu)示意圖和代表符號(hào)。代表符號(hào)中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。P溝道增強(qiáng)型MOS管的箭頭方向與上述相反，如圖(c)所示。

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