300V MOS管選型-300V MOS管型號參數、封裝尺寸、價格等資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-09-05
型號命名：KNX9130A
工作方式：40A/300V
漏源電壓：300V
門-源電壓：±20V
連續漏電電流：40A
單脈沖雪崩能量:1250MJ
二極管峰值恢復:5.0V/ns
漏源擊穿電壓:300V
輸入電容:3100pF
輸出電容:250pF
反向傳輸電容:80pF
RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V
專有的新平面技術
低柵電荷最小開關損耗
快速恢復體二極管
1、不間斷電源
2、直流-直流變換器
3、電機控制
4、其他領域
深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計，集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。
KIA半導體也一直執行全面質量管理體系，是將所有產品質量從芯片設計開始，一直貫徹到客戶使用的全過程質量跟蹤和監控。我們確定在這一質量控制體系下生產的產品，在相關環節的質量狀態和信息都是有效控制，確保提供給客戶的產品是安全可靠的。
需要咨詢更多產品信息、價格、封裝等資料，請聯系我們，我們將竭誠為您服務！
ards---漏源電阻溫度系數
aID---漏極電流溫度系數
Vn---噪聲電壓
η---漏極效率（射頻功率管）
Zo---驅動源內阻
VGu---柵襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VGD---柵漏電壓（直流）
VDS(sat)---漏源飽滿電壓
VDS(on)---漏源通態電壓
V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
Tstg---貯成溫度
Tc---管殼溫度
Ta---環境溫度
Tjm---最大容許結溫
Tj---結溫
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數）
POUT---輸出功率
PIN--輸入功率
PDM---漏極最大容許耗散功率
PD---漏極耗散功率
R(th)ja---結環熱阻
R(th)jc---結殼熱阻
RL---負載電阻（外電路參數）
Rg---柵極外接電阻（外電路參數）
rGS---柵源電阻
rGD---柵漏電阻
rDS(of)---漏源斷態電阻
rDS(on)---漏源通態電阻
rDS---漏源電阻
Ls---源極電感
LD---漏極電感
L---負載電感（外電路參數）
Ku---傳輸系數
K---失調電壓溫度系數
gds---漏源電導
ggd---柵漏電導
GPD---共漏極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
Gp---功率增益
gfs---正向跨導
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）
Iu---襯底電流
IDSS2---對管第二管漏源飽滿電流
IDSS1---對管第一管漏源飽滿電流
IGSS---漏極短路時截止柵電流
IF---二極管正向電流
IGP---柵極峰值電流
IGM---柵極脈沖電流
IGSO---漏極開路時，截止柵電流
IGDO---源極開路時，截止柵電流
IGR---反向柵電流
IGF---正向柵電流
IG---柵極電流（直流）
IDS(sat)---溝道飽滿電流（漏源飽滿電流）
IDSS---柵-源短路時，漏極電流
IDSM---最大漏源電流
IDS---漏源電流
IDQ---靜態漏極電流（射頻功率管）
ID(on)---通態漏極電流
dv/dt---電壓上升率（外電路參數）
di/dt---電流上升率（外電路參數）
Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
Ear:重復雪崩擊穿能量
Iar:雪崩電流
Ton:正導游通時刻.(根本能夠忽略不計).
Qrr :反向恢復充電電量.
Trr :反向恢復時刻.
VSD :正導游通壓降.
ISM:脈沖最大續流電流(從源極).
IS :接連最大續流電流(從源極).
EAR:重復雪崩擊穿能量.
IAR :雪崩電流.
EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個極限參數,闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
