P溝MOS晶體管

金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，叫源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有滿足的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅外表呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓能夠改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。假如N型硅襯底外表不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾許尺寸和工作電壓絕對值相等的狀況下，PMOS管的跨導小于N溝道MOS管。此外，P溝道MOS管閾值電壓的絕對值普通偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。這就給PMOS管的運用領域有了必定的限制。

PMOS管因邏輯擺幅大，充電放電進程長，加之器材跨導小，所以工作速度更低，在NMOS管電路呈現之后，大都已為NMOS電路所替代。僅僅，因PMOS管電路工藝簡略，價錢低廉，有些中范圍和小范圍數字控制電路仍采用PMOS管電路技能。PMOS管的特性，Vgs小于必定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的狀況（高端驅動）。

當然PMOS管能夠很便當地用作高端驅動，但由于導通電阻大，交流種類少等緣由，在高端驅動中，一般還是運用NMOS管。正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應為負值，以保證兩個P區與襯底之間的PN結均為反偏，一起為了在襯底頂外表左近構成導電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應為負。